750-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET G2 są teraz dostępne w nowych obudowach Q-DPAK i D2PAK, pozwalających zredukować rezystancję RDS(ON) nawet do 4 mΩ. Są to tranzystory, pozwalające uzyskać rekordową sprawność i gęstość mocy w aplikacjach przemysłowych i motoryzacyjnych, takich jak ładowarki pokładowe, wysokonapięciowe konwertery DC-DC i przełączniki zasilania. Jedną z ich ważniejszych cech są obudowy Q-DPAK typu top-side cooled, pozwalające uzyskać równocześnie małą rezystancję termiczną i długi czas bezawaryjnej pracy.
Ponadto, małe iloczyny RDS(ON) x QOSS i RDS(ON) x Qfr, zapewniają małe straty przy przełączaniu, zarówno w topologii hard-switching, jak i soft-switching. Napięcie progowe VGS(th) równe 4,5 V @ +25°C i bardzo mały stosunek QGD/QGS, zapewniają dużą odporność na przypadkowe włączenie tranzystora, wynikające z wpływu parametrów resztkowych. Bramki mogą pracować z napięciem statycznym już od -7 V (do -11 V w impulsie), co poszerza marginesy projektowe i zapewnia kompatybilność z wieloma podobnymi tranzystorami, dostępnymi obecnie na rynku.
Więcej na: www.infineon.com
