Tranzystory αMOS E2 przeznaczone są do użycia w przekształtnikach energoelektronicznych średniej lub dużej mocy. Są to elementy o napięciu "dren–źródło" VDS równym 600 V, których rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) nie przekracza 37 mΩ. Podzespoły oferuje się w obudowie przeznaczonej do montażu powierzchniowego (SMT). W badaniach aplikacyjnych określono dopuszczalną stromość narastania prądu "di/dt" równą 1,3 kA/µs, przy temperaturze złącza Tj sięgającej do 150°C.
Struktura półprzewodnikowa tranzystorów zoptymalizowana jest pod kątem pracy w układach z przełączaniem miękkim (soft-switching). Obniżona wartość ładunku regeneracji wstecznej Qrr zdecydowanie ogranicza straty dynamiczne w przekształtnikach pracujących z wysoką częstotliwością przełączania, co bezpośrednio przekłada się na zwiększenie sprawności energetycznej układów zasilania.
Tranzystory αMOS E2 znajdują zastosowania m.in. w przekształtnikach AC/DC oraz przetwornicach DC/DC. Elementy tej klasy wykorzystywane są także w falownikach używanych w systemach serwerowych, instalacjach fotowoltaicznych oraz napędach elektrycznych, w przypadku których decydujące znaczenie ma sprawność wraz z niezawodnością pracy.
Więcej na: www.aosmd.com
