TPM1R408RH firmy Toshiba to najnowszy tranzystor MOSFET z kanałem typu n, przeznaczony do zastosowań wymagających: wysokiej sprawności energetycznej, niewielkich strat mocy oraz niezawodnej pracy przy dużych obciążeniach. Dzięki niesłychanie korzystnym parametrom roboczym, podzespół znajduje zastosowanie m.in. w przetwornicach DC/DC bądź zasilaczach impulsowych, cechując się przede wszystkim: napięciem "dren-źródło" VDS równym 80 V oraz rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on) poniżej 1,4 mΩ, przy napięciu bramki VGS=10 V, prądzie drenu ID=50 A i temperaturze otoczenia TA=25°C.
Na uwagę zasługuje również wysoka dopuszczalna temperatura złącza Tj, wynosząca do 175°C, która pozwala na niezawodną pracę układu nawet w wymagających warunkach eksploatacyjnych. O wysokiej klasie tranzystora świadczą także jego parametry dynamiczne, mające bezpośredni wpływ na sprawność i efektywność pracy w aplikacjach energoelektronicznych. Wśród nich można wymienić: całkowity ładunek bramki Qg poniżej 80 nC oraz ładunek przełączania Qsw i ładunek wyjściowy Qoss, odpowiednio: 23 i 161 nC. Dodatkowo czas odwrotnego odzyskiwania trr sięga do 74 ns, a ładunek odwrotnego odzyskiwania Qrr to zaledwie 115 nC. Rozwiązanie dostarczane jest w kompaktowej obudowie SOP Advance(E) łącznie z dwoma zestawami modeli symulacyjnych SPICE: G0 i G2.
Pierwszy z nich przygotowano na potrzeby weryfikacji poprawności działania projektowanych obwodów. Natomiast drugi zestaw pozwala na dokładniejsze odwzorowanie zjawisk dynamicznych i stanów przejściowych, dzięki czemu sprawdza się podczas analizy pracy układów i pozwala dobrać adekwatny poziom szczegółowości symulacji do aktualnego etapu prac projektowych, skracając czas opracowania urządzenia oraz ograniczając liczbę kosztownych prototypów z nim związanych (tak samo jak czasochłonnych testów).
Więcej na: toshiba.semicon-storage.com
