Tranzystory MOSFET w.cz. o napięciu przebicia >200V i mocy >1000W
Firma STMicroelectronics wprowadziła do oferty serię czterech tranzystorów MOSFET dużej mocy przeznaczonych do pracy w układach w.cz., m.in. generatorach plazmy i skanerach medycznych.
Są to tranzystory o napięciu przebicia powyżej 200V, zamykane w szczelnych ceramicznych obudowach ST Air Cavity (STAC) o skutecznym rozpraszaniu ciepła. Charakteryzują się wysoką dopuszczalną temperaturą pracy złącza do +200°C.
SD4931 i SD4933 to tranzystory n-kanałowe o mocy znamionowej odpowiednio 150 i 300W, przeznaczone do zastosowań w aplikacjach wielkosygnałowych (50VDC) o zakresie częstotliwości do 250 MHz.
Mogą pracować w warunkach silnego niedopasowania wyjścia (do 20:1). Wzmocnienie mocy wynosi odpowiednio 14,8dB (175 MHz) i 24dB (30 MHz). STAC4932B i STAC4932F zostały zaprojektowane do pracy w aplikacjach impulsowych o napięciu do 100V i mocy wyjściowej do 1000W, np. generatorach laserowych i systemach do badań rezonansu magnetycznego.
Zapewniają wzmocnienie mocy równe 26dB (1200W, 123 MHz). Ceny hurtowe SD4931, SD4933 i STAC4932B/F wynoszą odpowiednio 43,65 USD, 77,60 USD i 67,90 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
