Tranzystory LDMOS 1200W/500 MHz w wersji \"extremally rugged\"
NXP
Tranzystory LDMOS nowej rodziny XR produkowane przez NXP Semiconductors są określane mianem \"extremally rugged\". Nie wykazują uszkodzenia ani degradacji parametrów w skrajnie niekorzystnych warunkach pracy występujących przez długi czas eksploatacji urządzenia.
Mogą pracować w warunkach silnego niedopasowania wyjścia przy maksymalnym obciążeniu. W układzie wzmacniacza pracującego z mocą wyjściową 1200W, model BLF578XR został przetestowany w warunkach współczynnika fali stojącej (VSWR) sięgającego 125:1 - największej wartości mierzonej przez układ testowy.
Inne podobne tranzystory w.cz. dużej mocy są określane mianem \"rugged\", gdy są w stanie wytrzymać VSWR=10. BLF578XR jest podwójnym tranzystorem o mocy znamionowej 1200W, pracującym w zakresie częstotliwości od 10 MHz do 500 MHz.
Zapewnia maksymalne wzmocnienie mocy równe 26dB (VDS=50V; PL=1000W) i sprawność sięgającą 75% (VDS=50V; f=108 MHz; IDq=40mA; PL=1000W). Szczytowa moc wyjściowa może osiągnąć 1400W w impulsie.
BLF578XR jest produkowany w obudowie SOT539A o rezystancji termicznej 0,14 K/W. Może być stosowany jako zamiennik dla tranzystora BLF578 produkowanego w identycznej obudowie.
