Pamięci NAND Flash 4 i 8Gb z układem korekcji błędów ECC

Toshiba rozpoczyna produkcję dwóch nowych serii pamięci NAND Flash rodziny Benand o pojemnościach 4Gb (seria TC58B) i 8Gb (seria TH58B), wyposażonych w układ korekcji błędów ECC. Są to pamięci SLC (single level cell) o dużej niezawodności, przeznaczone do elektroniki użytkowej i przemysłowej. 

Dotychczas mechanizm korekcji ECC był implementowany w układzie host i dokonywał korekcji 1 bitu na 512 transmitowanych bajtów. W obecnych pamięciach NAND Flash produkowanych w procesie 32nm stosowane są układy o większej niezawodności, dokonujące korekcji co najmniej 4 bitów na 512 bajtów. Współpraca z tego typu pamięciami bez wbudowanego układu korekcji ECC oznacza konieczność modyfikacji kontrolera w mikroprocesorze host. 

Nowe pamięci rodziny Benand nie wymagają angażowania mikroprocesora systemowego w operacje związane z korekcją ECC. Wykonują korekcję 4 bitów na 512 transmitowanych bajtów. Są kompatybilne pod względem rozkładu wyprowadzeń z innymi oferowanymi przez firmę Toshiba pamięciami SLC NAND Flash.