Tranzystory IGBT 600 V o małym napięciu nasycenia
Tranzystory IGBT nowej rodziny AP20GT60 wyróżniają się bardzo małym napięciem nasycenia. Zaprojektowano je do zastosowań w układach sterowania silników AC i DC, zasilaczy UPS, falowników i grzejników indukcyjnych. Wszystkie są produkowane na napięcie znamionowe VCES równe 600 V i pracują przy maksymalnym napięciu sterowania VGE równym ±20 V.
Tranzystory IGBT zamykane są w dwóch typach obudów: TO-220 i TO-3P. Pracują przy maksymalnej temperaturze złącza +150°C.
AP20GT60P-HF-3 to tranzystor o napięciu nasycenia VCE(sat) równym 1,8 V @ IC=20 A i maksymalnej mocy rozpraszanej 104 W @ +25°C. Jest produkowany w obudowie TO-220. Jego odpowiednik, AP20GT60I-HF-3 charakteryzuje się identycznymi parametrami elektrycznymi, przy czym ze względu na izolowaną obudowę TO-220CFM może rozpraszać jedynie do 25 W mocy.
AP20GT60ASP-HF-3 to tranzystor z wewnętrzną diodą regeneracyjną, którego napięcie nasycenia wynosi 1,7 V @ IC=19 A, maksymalna moc rozpraszana 78 W @ +25°C, a dopuszczalny prąd wewnętrznej diody 8 A w trybie ciągłym i 40 A w impulsie. Jest produkowany również w obudowie TO-220. Parametry pozostałych trzech tranzystorów zestawiono w tabeli.
| VCE | VGE | VCE(sat) | IC (+25°C / +100°C) | PD | Wewn. dioda | Obudowa | |
| AP20GT60P-HF-3 | 600 V | ±20 V | 1,8 V @ IC=20 A | 20 A/40 A | 104 W @ +25°C | N | TO-220 |
| AP20GT60I-HF-3 | 1,8 V @ IC=20 A | 20 A/40 A | 25 W @ +25°C | N | izolowana TO-220CFM | ||
| AP20GT60ASP-HF-3 | 1,7 V @ IC=19 A | 33 A/19 A | 78 W @ +25°C | T | TO-220 | ||
| AP20GT60ASI-HF-3 | 1,7 V @ IC=12 A | 25 A/12 A | 33 W @ +25°C | T | izolowana TO-220CFM | ||
| AP20GT60W-HF-3 | 1,8 V @ IC=20 A | 20 A/40 A | 125 W @ +25°C | N | TO-3P | ||
| AP20GT60SW-HF-3 | 1,8 V @ IC=20 A | 20 A/40 A | 125 W @ +25°C | T | TO-3P |
