Diody prostownicze Schottky’ego 80 A/170 V do zasilaczy telekomunikacyjnych
Vishay rozszerza ofertę diod prostowniczych Schottky\'ego TMBS produkowanych w technologii Trench MOS. Na rynek wchodzi 9 dodatkowych typów diod zamykanych w obudowach TO-220AB, TO-263AB i TO-3PW. Mogą pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +175°C.
Są to diody zaprojektowane do zastosowań w zasilaczach telekomunikacyjnych, charakteryzujące się napięciem znamionowym 170 V, zakresem prądów przewodzenia od 10 do 80 A i typowym napięciem przewodzenia 0,65 V @ 30 A.
| IF [A] | VRRM [V] | VF @ IF, TJ | IFSM [A] | Obudowa | |||
| VF [V] | IF [A] | TA [°C] | |||||
| V10170C-M3 | 10 | 170 | 0,65 | 5 | 125 | 80 | TO-220AB |
| VB10170C-E3 | TO-263AB | ||||||
| V40170C-M3 | 40 | 0,68 | 20 | 200 | TO-220AB | ||
| VB40170C-E3 | TO-263AB | ||||||
| V60170G-M3 | 60 | 0,72 | 30 | 210 | TO-220AB | ||
| VB60170G-E3 | TO-263AB | ||||||
| V40170PW-M3 | 40 | 0,67 | 20 | 200 | TO-3PW | ||
| V60170PW-M3 | 60 | 0,65 | 30 | 260 | TO-3PW | ||
| V80170PW-M3 | 80 | 0,68 | 40 | 280 | TO-3PW |
Zapytania ofertowe
Diody prostownicze Schottky’ego 80 A/170 V do zasilaczy telekomunikacyjnych
Zapytanie ofertowe
