Małostratne 600-woltowe tranzystory IGBT do układów hard-switching

Firma Toshiba Electronics oferuje pierwsze tranzystory IGBT 6. generacji pozwalające ograniczyć straty w układach impulsowych typu hard-switching. Są to tranzystory o napięciu znamionowym 600 V i dopuszczalnym prądzie przewodzenia do 50 A, zawierające wewnętrzną diodę regeneracyjną. Nadają się do zastosowań w układach napędowych, falownikach systemów fotowoltaicznych i zasilaczach UPS.

Nowa oferta obejmuje 4 typy tranzystorów różniących się dopuszczalnym prądem drenu: 15A (GT15J341), 20A (GT20J341), 30A (GT30J341) i 50A (GT50J342). Ich napięcie nasycenia V_CE(sat) wynosi typowo 1,5 V przy nominalnym prądzie. Wersje 15 i 20 A są zamykane w izolowanej obudowie TO-220SIS, a wersje 30 i 50 A w nieizolowanej obudowie TO-3P(N) będącej odpowiednikiem TO-247. Różnice między tranzystorami 5. i obecnej generacji najlepiej widać na przykładzie wersji 30 i 50 A.

Przy temperaturze t_C=+150°C i prądzie przewodzenia 50 A, model GT50J342 zapewnia mniejsze o 32% napięcie V_CE(sat) i mniejsze odpowiednio o 13% i 26% straty Eon i Eoff. Ogranicza to sumaryczne straty mocy o 24% przy pracy z napięciem szyny równym 300 V i częstotliwością przełączania 20 kHz. W tych samych warunkach (t_C, V_CC, f) model GT30J341 pracujący z prądem przewodzenia 30 A zapewnia mniejsze o 30% napięcie V_CE(sat) i mniejsze odpowiednio o 12% i 33% straty Eon i Eoff, co ogranicza sumaryczne straty mocy o 26%.