Miniaturowe 100-woltowe MOSFETy w obudowach o powierzchni od 1,6 x 1,6 mm
Oferta firmy Vishay powiększyła się o dwa miniaturowe tranzystory MOSFET TrenchFET o oznaczeniach SiA416DJ i SiB456DK, zamykane w obudowach odpowiednio PowerPAK SC-70 (2 x 2 mm) i PowerPAK SC-75 (1,6 x 1,6 mm). Oba są tranzystorami n-kanałowymi o napięciu przebicia 100 V i małej rezystancji kanału, mogącymi przewodzić maksymalny prąd ciągły drenu odpowiednio 11,3 A i 6,3 A przy idealnym chłodzeniu (TC=+25°C). Zostały zoptymalizowane do zastosowań w przetwornicach napięcia typu Boost, falownikach małej mocy i układach zasilania diod LED urządzeń przenośnych.
SiA416DJ jest polecany do aplikacji, w których krytycznym parametrem jest jak najniższa rezystancja RDS(ON). Wynosi ona 83 mΩ przy napięciu VGS równym 10 V i 130 mΩ przy 4,5 V. Współczynnik FOM (RDS(ON) x QG), decydujący o stratach przy pracy impulsowej wynosi 540 mΩ-nC przy VGS=10 V i 455 mΩ-nC przy VGS=4,5 V.
SiB456DK jest polecany do aplikacji, w których najważniejsza jest miniaturyzacja. Jego rezystancja RDS(ON) wynosi 185 mΩ @ 10 V i 310 mΩ @ 4,5 V, a współczynnik FOM 611 mΩ-nC @ 10 V i 558 mΩ-nC @ 4,5 V.
