Niskonapięciowe MOSFETy w obudowach 1,0 x 0,6 mm

Kategoria produktu: Podzespoły półprzewodnikowe

Alpha & Omega Semiconductor wprowadza na rynek serię 5 miniaturowych niskonapięciowych tranzystorów MOSFET zamykanych w obudowach DFN o powierzchni wynoszącej 1,0 x 0,6 mm i 1,6 x 1,6 mm. Tranzystory te opracowano do zastosowań w urządzeniach przenośnych o dużej gęstości upakowania podzespołów, takich jak tablety, smartfony czy cyfrowe aparaty fotograficzne.

W zależności od wersji mogą przewodzić prądy drenu o maksymalnym natężeniu od 0,7 do 4,0 A @ +25°C. Ceny hurtowe wynoszą od 0,08 do 0,25 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.

	Rozmiar [mm]	Kanał	V_DS [V]	V_GS [V]	R_DS(ON) maks. [mΩ]	Qg (typ.) [nC]	I_D @ T_A=25ºC [A]
@10 V	@4,5 V	@2,5 V	@1,8 V	@1,5 V
AON1605	1,0 x 0,6	P	-20	±8	-	710	930	1250	-	0,75	-0,7
AON1606	1,0 x 0,6	N	20	±8	-	275	335	390	-	0,85	0,7
AON1611	1,6 x 1,6	P	-20	±8	-	58	76	98	120	7	-4
AON1620	1,6 x 1,6	N	12	±8	-	22	27	36	-	8	4
AON1634	1,6 x 1,6	N	30	±12	54	62	82	-	-	2,6	4

WIĘCEJ NA www.aosmd.com

Zapytania ofertowe

Niskonapięciowe MOSFETy w obudowach 1,0 x 0,6 mm

Zapytanie ofertowe