MOSFET o wymiarach 6 x 5 mm i dopuszczalnym prądzie drenu 130 A

W ofercie firmy Renesas pojawił się kolejny tranzystor n-MOS o rekordowo niskiej rezystancji R_DS(ON), oznaczony symbolem μPA2766T1A. Jest to tranzystor o napięciu przebicia 30 V, zaprojektowany do wysokoprądowych systemów zasilania m.in. serwerów, zamykany w obudowie HVSON o powierzchni 6 x 5 mm. W stosunku do poprzednich oferowanych przez Renesas tranzystorów do tego typu zastosowań zapewnia dwukrotnie mniejszą rezystancję kanału, wynoszącą typowo 0,72 mΩ przy V_GS=10 V (maks. 0,88 mΩ).

Dzięki małej rezystancji R_DS(ON) i małej rezystancji termicznej złącze-obudowa może przewodzić prądy o natężeniu nawet do 130 A. Rozpoczęcie produkcji masowej μPA2766T1A przewidziano na luty 2013. W ofercie Renesas znajdują się też dwa tranzystory o zbliżonych parametrach elektrycznych, µPA2764T1A i µPA2765T1A.