Fairchild Semiconductor powiększa ofertę tranzystorów IGBT o 5 nowych modeli produkowanych na zakres napięć przebicia od 1100 do 1400 V. Są to małostratne tranzystory o dużej mocy znamionowej i dużej częstotliwości pracy od 10 do 50 kHz, zaprojektowane do zastosowań w indukcyjnych systemach grzewczych. Mogą pracować w zakresie temperatur złącza do +175°C.
W porównaniu z tranzystorami IGBT NPT poprzednich serii zapewniają mniejsze o 12% napięcie nasycenia. Zawierają wbudowane diody antyrównoległe zapewniające łagodne charakterystyki przełączania. Nowa oferta obejmuje tranzystory produkowane w obudowach TO-247 3L i TO-3P 3L: