100-amperowe MOSFETy do elektroniki samochodowej w obudowach LFPAK56
NXP
NXP Semiconductors wprowadza do oferty 54 nowe tranzystory MOSFET do elektroniki samochodowej, produkowane w obudowach LFPAK56 (Power SO8) o ponad dwukrotnie mniejszej powierzchni od podobnych tranzystorów produkowanych w obudowach DPak. Występują one w 4 seriach o napięciach przebicia 30, 40, 60, 80 i 100 V. W zależności od wersji przewodzą maksymalny prąd drenu od 9,4 do maksymalnie 100 A.
Charakteryzują się rezystancją RDS(on) wynoszącą od 2,5 mΩ @ 10 V w przypadku 40-woltowego BUK9Y3R0-40E do 153 mΩ @ 10 V w przypadku 100-woltowego BUK7Y153-100E.
Nowe tranzystory przeszły testy niezawodnościowe polegające na pracy przez ponad 1600 godzin w temperaturze +175°C, co wykracza poza wymogi określone w specyfikacji AEC-Q101. Ich konstrukcja z wyprowadzeniami typu gull-wing zapewnia odporność na naprężenia termiczne i mechaniczne. Specjalna technika połączeń wewnętrznej struktury z wyprowadzeniami zewnętrznymi za pomocą miedzianej nakładki, tzw. copper clip zapewnia bardzo małą rezystancję elektryczną i termiczną, małą indukcyjność wyprowadzeń i dużą niezawodność tranzystora.
