Najmniejsze na rynku tranzystory bipolarne o wymiarach 0,8 x 0,6 x 0,4 mm
W ofercie firmy Diodes pojawiły się pierwsze na rynku tranzystory bipolarne produkowane w obudowach DFN0806 o wymiarach 0,8 x 0,6 x 0,4 mm. Są to najmniejsze, jak dotąd, tego typu elementy, których powierzchnię ograniczono o 20% w stosunku do tranzystorów wcześniejszych serii, zamykanych w obudowach DFN1006, SOT883 i SOT1123. Charakteryzują się mniejszą o ok. 30% rezystancją termiczną od tranzystorów zamykanych w obudowach SOT23, przy 16-krotnie mniejszej powierzchni.
Obecnie oferta obejmuje dwie pary komplementarne PNP/NPN o napięciach VCE równych 40 i 45 V oraz o prądzie kolektora wynoszącym odpowiednio 0,1 i 0,2 A.
| VCE0 | IC | ICM | PD | hFE | VCE(SAT) | ||||
| [V] | [A] | [A] | [W] | min. | @IC [A] | maks. [mV] | @IC/IB [A/mA] | ||
| MMBT3904FA | NPN | 40 | 0,2 | 0,5 | 0,43 | 100 | 0,01 | 200 | 0,01/0,5 |
| MMBT3906FA | PNP | -40 | -0,2 | -0,5 | 0,43 | 100 | -0,01 | -250 | -0,01/-0,5 |
| BC847BFA | NPN | 40 | 0,1 | 0,2 | 0,43 | 200 | 0,002 | 125 | 0,01/0,5 |
| BC857BFA | PNP | -40 | -0,1 | -0,2 | 0,43 | 200 | -0,002 | -175 | -0,01/-0,5 |
Zapytania ofertowe
Najmniejsze na rynku tranzystory bipolarne o wymiarach 0,8 x 0,6 x 0,4 mm
Zapytanie ofertowe
