Podwójne MOSFETy o powierzchni 6 x 5 mm do wysokoprądowych przetwornic DC-DC
IRFH4251D i IRFH4253D to podwójne tranzystory MOSFET zamykane w obudowach o powierzchni 6 x 5 mm, zaprojektowane do zastosowań w wysokoprądowych przetwornicach DC-DC obniżających napięcie wejściowe. Struktura tych układów obejmuje dwa tranzystory: synchroniczny i sterujący, których parametry zoptymalizowano w celu uzyskania jak największego dopuszczalnego prądu wyjściowego i jak największej częstotliwości przełączania.
Tranzystor sterujący charakteryzuje się małym ładunkiem bramki Qg, wynoszącym typowo 10 nC, a tranzystor synchroniczny charakteryzuje się małą rezystancją RDS(on), wynoszącą zaledwie 1,1 mΩ w przypadku IRFH4251D i 1,45 mΩ w przypadku IRFH4253D. Oba tranzystory cechuje napięcie przebicia równe 25 V i dopuszczalny prąd drenu 45 A. Są one produkowane w miniaturowych obudowach PQFN z wyprowadzeniem radiatora połączonym elektrycznie ze źródłem tranzystora synchronicznego, co zapewnia skuteczne odprowadzanie ciepła bezpośrednio do płytki drukowanej. Zostały zoptymalizowane do współpracy z kontrolerami wyposażonymi w 5-woltowe sterowniki bramek tranzystorów MOSFET. Ceny hurtowe IRFH4251D i IRFH4253D zaczynają się odpowiednio od 0,89 i 1,29 USD, przy zamówieniach 10 tys. sztuk.
