Miniaturowe p-kanałowe MOSFETy o najniższej rezystancji RDS(on)
Si5411EDU, Si5415AEDU i SiSS23DN to najnowsze w ofercie Vishay p-kanałowe tranzystory MOSFET 3. generacji o napięciu znamionowym -12 i -20 V, charakteryzujące się jak przekonuje producent najmniejszymi obecnie na rynku wartościami RDS(on) w porównaniu z odpowiednikami firm konkurencyjnych. Zostały zaprojektowane z myślą o zastosowaniach w przełącznikach zasilania urządzeń przenośnych.
Są zamykane w miniaturowych, niskoprofilowych obudowach PowerPAK ChipFET (3,0 x 1,9 mm) i PowerPAK 1212-8S (3,0 x 3,0 mm). 12-woltowy Si5411EDU jest polecany do zastosowań tam, gdzie krytycznym parametrem jest powierzchnia montażowa, a Si5415AEDU do układów pracujących z większymi napięciami zasilania. Oba charakteryzują się zabezpieczeniem ESD do 5000 V. Z kolei SiSS23DN jest polecany do zastosowań w układach, w których krytycznym parametrem jest rezystancja RDS(on). Dane techniczne nowych tranzystorów przedstawiono w tabeli.
| Oznaczenie | Si5411EDU | Si5415AEDU | SiSS23DN | |
| VDS | -12 V | -20 V | -20 V | |
| VGS | ± 8 V | ± 8 V | ± 8 V | |
| RDS(ON) @ | 4,5 V | 8,2 mΩ | 9,6 mΩ | 4,5 mΩ |
| 3,7 V | 9,4 mΩ | - | - | |
| 2,5 V | 11,7 mΩ | 13,2 mΩ | 6,3 mΩ | |
| 1,8 V | 20,6 mΩ | 22,0 mΩ | 11,5 mΩ | |
| Obudowa | PowerPAK ChipFET |
PowerPAK ChipFET | PowerPAK 1212-8S |
