Tranzystory GaN HEMT na pasmo C do naziemnych stacji satelitarnych

Mitsubishi Electric dodaje do oferty tranzystorów mikrofalowych dwa nowe modele oznaczone symbolami MGFC50G5867 i MGFC47G5867. Są to tranzystory realizowane w technologii HEMT na podłożach z azotku galu, zaprojektowane do zastosowań w nadajnikach naziemnych stacji satelitarnych pracujących w paśmie C (4...8 GHz). Charakteryzują się rekordową mocą wyjściową, wynoszącą odpowiednio 100 i 50 W, napięciem przebicia 40 V i sprawnością przekraczającą 43% (P3dB, 6,4 GHz). Zawierają wewnętrzne obwody dopasowujące.