Matryce tranzystorowe DMOS FET kompatybilne z matrycami tranzystorów bipolarnych serii TD62xxxA
Oferta firmy Toshiba powiększyła się o serię matryc tranzystorowych TBD62xxxA produkowanych w procesie technologicznym DMOS FET, kompatybilnych pod względem funkcjonalnym i rozkładu wyprowadzeń z matrycami tranzystorów bipolarnych wcześniejszej serii TD62xxxA, szeroko stosowanymi w układach napędowych, przekaźnikowych i oświetleniowych z diodami LED. Nowe matryce, dzięki zastosowanej technologii unipolarnej, pozwalają obniżyć pobór mocy nawet o 40% w stosunku do poprzedników.
Charakteryzują się małą rezystancją kanału, zakresem napięć wyjściowych do 50 V i maksymalnym prądem wyjściowym 0,5 A/kanał. Są oferowane w 24 wersjach różniących się m.in. liczbą kanałów i napięciem wejściowym VIN (ON). Wynosi ono przykładowo 14 V dla serii TBD62003A, 2,5 V dla serii TBD62503A i 7 V dla serii TBD62004A, co pozwala na współpracę z sygnałami wejściowymi PMOS, TTL i CMOS. Matryce z nowej serii są produkowane w obudowach DIP, SOP/SOL i SSOP. Rozpoczęcie produkcji masowej zaplanowano na drugą połowę br.
