n-kanałowe MOSFETy 600 V o bardzo małym ładunku regeneracyjnym

Firma Vishay Siliconix dodała do oferty tranzystorów MOSFET z serii EF trzy nowe superzłączowe tranzystory n-kanałowe o oznaczeniach SiHx21N60EF, SiHx47N60EF i SiHx70N60EF wyposażone w wewnętrzną diodę regeneracyjną. Wyróżniają się one bardzo małym wewnętrznym ładunkiem regeneracyjnym (Qrr), około 10-krotnie mniejszym od ładunku standardowych tranzystorów MOSFET. Cecha ta pozwala zredukować straty mocy i zwiększa niezawodność tranzystora, co otwiera szerokie pole zastosowań w przemysłowych i telekomunikacyjnych układach zasilania.

Dzięki małemu ładunkowi regeneracyjnemu następuje szybsze blokowanie kanału, co pomaga uniknąć sytuacji awaryjnych polegających na przegrzaniu lub równoczesnym włączeniu obu tranzystorów w stopniu wyjściowym (shoot-through). SiHx21N60EF, SiHx47N60EF i SiHx70N60EF pracują z dopuszczalnym ciągłym prądem drenu odpowiednio 21, 47 i 70 A i charakteryzują się rezystancją w stanie On wynoszącą odpowiednio 176 mΩ, 65 mΩ i 38 mΩ.