Najmniejszy na rynku 650-woltowy tranzystor GaN o prądzie ciągłym drenu do 15 A
Firma GaN Systems wprowadziła do oferty najmniejszy na rynku tranzystor mocy E-HEMT produkowany na podłożu z azotku galu, oznaczony symbolem GS66504B. Jest on dostarczany w postaci modułu GaNPX o wymiarach 6,5 x 5,0 x 0,45 mm, którego powierzchnia jest dwukrotnie mniejsza od wcześniejszych wersji. Charakteryzuje się dopuszczalnym prądem ciągłym drenu wynoszącym 15 A w temperaturze +25°C (11 A @ +100°C), dopuszczalnym prądem impulsowym 30 A i rezystancją RDS(ON) wynoszącą 110 mΩ.
Podobnie jak pozostałe tranzystory oparte na tego typu podłożach zapewnia niezwykle mały współczynnik FOM, pozwalający nawet 40-kotnie ograniczyć straty mocy przy pracy impulsowej w stosunku do tradycyjnych tranzystorów MOSFET i IGBT. Pracuje w bardzo szerokim dopuszczalnym zakresie temperatur od -55 do +150°C. Znajduje zastosowanie we wszelkiego typu układach zasilających i napędowych.
Obecnie oferta 650-woltowych tranzystorów E-HEMT z oferty GaN Systems obejmuje wersje produkowane na zakres prądów znamionowych od 7 do 200 A.
