Najmniejsza na rynku 1-megabitowa szeregowa pamięć FRAM

Fujitsu Semiconductor wprowadza na rynek najmniejszą obecnie szeregową pamięć FRAM o pojemności 1 Mb, produkowaną w 8-wyprowadzeniowej obudowie WL-CSP o wymiarach 3,09 x 2,28 x 0,33 mm. W porównaniu z wariantem produkowanym w obudowie SOP nowy układ charakteryzuje się mniejszą o 95% objętością, mniejszą o 77% powierzchnią montażową i mniejszą o 79% grubością obudowy. Nadaje się idealnie do zastosowań w urządzeniach bateryjnych o największym stopniu upakowania podzespołów, takich jak np. akcesoria medyczne i sportowe przenoszone na ciele, szczególnie ze względu na krótki czas zapisu i związany z tym bardzo mały pobór energii.

Ponadto, w porównaniu z pamięciami EEPROM ważną zaletą technologii FRAM jest znacznie dłuższy czas bezawaryjnej pracy. Podczas, gdy pamięci EEPROM gwarantują integralność danych jedynie przez około 1 milion cykli zapisu, dla produkowanych przez Fujitsu pamięci FRAM jest to ponad 10 trylionów cykli.

Dane techniczne:

• oznaczenie: MB85RS1MT;
• konfiguracja: 1 Mbit (128 K x 8 bitów);
• interfejs: SPI;
• napięcie pracy: 1,8...3,6 V;
• gwarantowana niezawodność: 10 trylionów cykli odczytu/zapisu;
• czas retencji danych: 10 lat w temperaturze +85°C;
• obudowy: WLCSP-8, SOP-8.

Na zdjęciu głównym widoczne jest porównanie objętości pamięci MB85RS1MT w obu wariantach obudów.

Porównanie powierzchni montażowej pamięci MB85RS1MT w obu wariantach obudów

Porównanie poboru energii pamięci EEPROM i FRAM