Dwukierunkowe przełączniki n-MOS do ochrony 1- i 2-ogniwowych akumulatorów litowych
DMN2014LHAB i DMN2011UFX to małostratne, dwukierunkowe przełączniki n-MOS zaprojektowane do ochrony 1- i 2-ogniwowych akumulatorów litowych. Zawierają po dwa tranzystory MOSFET w konfiguracji ze wspólnym drenem, które po włączeniu tworzą dwukierunkowy kanał przepływu prądu, a po wyłączeniu chronią akumulator przed przeładowaniem i nadmiernym rozładowaniem. Oba układy charakteryzują się tym samym napięciem przebicia wynoszącym 20 V, natomiast różnią się rezystancją RDS(on) wynoszącą dla DMN2014LHAB i DMN2011UFX odpowiednio <13 mΩ i <9,5 mΩ.
Niskie napięcie progowe bramki (VGS(th)<1 V) pozwala na poprawną pracę z układami logicznymi zasilanymi napięciem już od 1,8 V. Dopuszczalny prąd ciągły wynosi odpowiednio 9 i 12 A, a dopuszczalny prąd impulsowy 45 i 80 A.
| VDSS [V] |
ID [A] |
IDM (A) |
RDS(on) maks. @4,5 V [mΩ] |
Obudowa | |
| DMN2014LHAB |
20 | 9 | 45 | 13 | U-DFN2030-6 2,0 x 3,0 x 0,6 mm |
| DMN2011UFX |
20 | 12 | 80 | 9,5 | V-DFN2050-4 2,0 x 5,0 x 0,8 mm |
