Energooszczędne pamięci SRAM 16 i 32 Mb o zwiększonej odporności na błędy logiczne
Zapobieganie pojawianiu się błędów logicznych (soft errors) w pamięciach SRAM powodowanych przez promieniowanie alfa i neutrony promieniowania kosmicznego jest realizowane zwykle przez zastosowanie układu korekcji ECC. Technika ta ma jednak swoje ograniczenia. Na przykład może nie zadziałać w przypadku równoczesnego wystąpieniu błędów na kilku bitach. W opracowanych przez firmę Renesas pamięciach Advanced LP SRAM zmodyfikowano konstrukcję komórki, zapewniając m.in. jej dwukrotnie mniejsze rozmiary w porównaniu z pamięciami opartymi na konwencjonalnych 6-tranzystorowych komórkach CMOS.
Nowe pamięci mają też 500-krotnie większą odporność na błędy logiczne, wyeliminowano w nich również zjawiska zatrzaskiwania (latch-up) i zmniejszono pobór mocy. Cechy te osiągnięto dzięki dodaniu fizycznego kondensatora do każdego z węzłów komórki pamięci oraz wykonaniu tranzystorów p-MOS na tranzystorach n-MOS (bez kontaktu z podłożem), co zapobiega powstawaniu tyrystorów pasożytniczych i teoretycznie eliminuje możliwość \"zatrzaśnięcia\" komórki.
Do oferty tych pamięci weszły w ostatnim czasie dwa nowe układy: RMLV1616A o pojemności 16 Mb i RMWV3216A o pojemności 32 Mb. Są to pamięci energooszczędne, zaprojektowane z myślą o zwiększeniu niezawodności aplikacji przemysłowych i wydłużeniu ich czasu pracy na baterii podtrzymującej. Zostały wykonane w procesie technologicznym 110 nm. Pobierają odpowiednio 0,5 µA i 1 µA prądu ze źródła zasilającego (przy 3,0 V i +25°C), co stanowi mniej niż połowę prądu pobieranego przez wcześniejsze serie pamięci SRAM firmy Renesas produkowane w technologii 150 nm. Co więcej, w stanie statycznym mogą być zasilane niższym napięciem (1,5 V vs. 2,0 V). Wersja 16-megabitowa jest produkowana w trzech typach obudów: FBGA-48, TSOP-48 i μTSOP-52. Wersja 32-megabitowa jest produkowana w obudowie FBGA-48. Rozpoczęcie produkcji masowej tych układów przewidziano na październik 2015. Renesas rozpoczął już wcześniej produkcję masową 110-nanometrowych pamięci Advanced LP SRAM o pojemnościach 4 i 8 Mb.
