Pamięć nieulotna nvSRAM 1 Mb z szybkim interfejsem QSPI

Firma Cypress dodała do oferty pamięci nieulotnych nvSRAM nowy układ o pojemności 1 Mb (128 K x 8), oznaczony symbolem CY14V101QS. Jest to pamięć adresowana do aplikacji wymagających dużej szybkości transmisji danych. Zawiera interfejs Quad SPI taktowany zegarem do 108 MHz, zapewniający większą przepustowość od pamięci z interfejsem równoległym, zamykanych w większych typach obudów. W odróżnieniu od standardowych pamięci SRAM, CY14V101QS zachowuje swoją zawartość po zaniku napięcia zasilającego, dzięki czemu nie wymaga stosowania źródła zasilania awaryjnego.

Charakteryzuje się praktycznie nieograniczoną żywotnością jeśli chodzi i liczbę cykli zapisu/odczytu oraz 20-letnim czasem przechowywania danych w temperaturze +85°C. Umożliwia programowe i sprzętowe blokowanie zapisu. Opcjonalnie może być wyposażony w zegar RTC o dokładności ±50 ppm (bez kalibracji). Jest produkowany w dwóch typach obudów: SOIC-16 i BGA-24 na przemysłowy (-40...+85°C) i rozszerzony przemysłowy (-40...+105°C) zakres temperatur pracy. Rozpoczęcie masowej produkcji układu przewidziano na trzeci kwartał br.

Pozostałe cechy:

• przepustowość:
  - 24 MBps przy zapisie/odczycie w trybie Random,
  - 56 Mbps w trybie Burst;
• napięcie zasilania:
  - matryca: 2,7...3,6 V (typ. 3,0 V),
  - obwód I/O: 1,71...2,0 V (typ. 1,8 V);
• pobór prądu:
  - 8 µA @ +85°C w trybie Hibernate,
  - 280 µA @ +85°C w trybie Sleep.