Tranzystorowy stopień sterujący MOSFET H-Bridge 100 V w obudowie 5 x 4 x 0,8 mm

Najnowszy tranzystorowy stopień sterujący H-Bridge firmy Diodes zawiera po dwa p- i n-kanałowe tranzystory MOSFET o napięciu przebicia 100 V zamknięte w obudowie DFN5045-12 o wymiarach 5 x 4,5 x 0,8 mm. Mogą one pracować z maksymalnym prądem ciągłym do 2,9 A (n-kanałowe) i 2,3 A (p-kanałowe) oraz z prądem impulsowym do 11 A.

Charakteryzują się rezystancją R_DS(on) wynoszącą odpowiednio 160 i 250 mA przy V_GS=±10 V. DMHC10H170SFJ może znaleźć zastosowanie np. w sterownikach wentylatorów zasilanych napięciem telekomunikacyjnym 48 V_DC lub w matrycach przetworników piezoelektrycznych w okrętowych systemach echolokacji i nieniszczących badaniach struktury materiałów.

Pozwala zastąpić równoważny układ z 4 dyskretnymi tranzystorami MOSFET o podobnych parametrach, produkowanymi w obudowach SOT23 lub z dwoma podwójnymi tranzystorami, produkowanymi w obudowach SO-8, co umożliwia realizację znacznie mniejszych układów sterowania z wieloma przetwornikami piezoelektrycznymi.