Szybkie sterowniki tranzystorów MOSFET i IGBT o napięciu offsetu do 600 V

W ofercie firmy Diodes pojawiła się nowa seria szybkich, wysokonapięciowych sterowników bramek tranzystorów MOSFET i IGBT obejmująca po 6 modeli do konfiguracji high-side/low-side i half-bridge. Są one przystosowane do pracy z maksymalnym napięciem offsetu równym 600V, a ich wejścia mogą być podłączane bezpośrednio do mikrokontrolerów zasilanych napięciem 3,3 V.

Krótkie czasy ton/toff już od 105/94 ns pozwalają na pracę z dużą częstotliwością przełączania. Zakres zastosowań obejmuje sterowanie wysokoprądowych stopni wyjściowych w układach napędowych, zasilaczach i falownikach.

Wszystkie sterowniki serii DGD21xx zawierają jednakowy zestaw funkcji zabezpieczających: wejścia z bramkami Schmitta, zabezpieczenie podnapięciowe i zabezpieczenie wyjść przed ujemnymi impulsami napięcia mogącymi się pojawiać wskutek przełączania prądów na obciążeniach indukcyjnych. Dopasowane czasy opóźnień obu kanałów oraz ustalony fabrycznie czas martwy w przypadku wersji half-bridge zapobiegają niebezpieczeństwu równoczesnego wprowadzenia w tryb przewodzenia obu tranzystorów w stopniu wyjściowym. Sterowniki serii DGD21xx są zamykane w obudowach SO-8 i SO-16.