Miniaturowe samochodowe regulatory LDO o powierzchni od 1 mm² z kwalifikacją AEC-Q100
Rohm
Firma Rohm dodaje do oferty dwie nowe serie miniaturowych regulatorów LDO z kwalifikacją AEC-Q100, przeznaczonych do zastosowań w elektronice samochodowej: BD7xxLx o bardzo małym prądzie spoczynkowym i BUxxJA2MNVX-C o bardzo małej powierzchni obudowy.
Regulatory BD7xxLx charakteryzują się szerokim zakresem dopuszczalnych napięć wejściowych, sięgającym 50 V i szerokim zakresem temperatur pracy od -40 do +125°C. W ramach tej serii dostępnych jest 8 modeli o napięciu wyjściowym 3,3 V i 5 V oraz o wydajności prądowej 200 mA i 500 mA.
Są one produkowane w trzech typach obudów (TO252-3, SOT223-4F i HSOP-J8) dających projektantowi możliwość uzyskania konkretnych cech, np. zwiększenia niezawodności w ciężkich warunkach pracy lub ograniczenia do minimum wymiarów zewnętrznych.
Pobór prądu tych układów przy braku obciążenia zmniejszono do zaledwie 6 µA. Dodatkową zaletą jest możliwość współpracy z miniaturowymi kondensatorami ceramicznymi o pojemności 1...10 µF, co zmniejsza powierzchnię płytki drukowanej i ogólny koszt układu zasilania.
Dotychczas rekordowym osiągnięciem jeśli chodzi o miniaturyzację regulatorów samochodowych były regulatory o powierzchni montażowej 1,5 mm². Nowe regulatory serii BUxxJA2MNVX-C przesuwają tą granicę do 1 mm².
Są to najmniejsze obecnie tego typu podzespoły z kwalifikacją AEC-Q100, których dodatkową zaletą jest mały pobór prądu (35 µA w trybie standby) i małe wahania napięcia wyjściowego w funkcji prądu obciążenia (65 mV), zmniejszone o połowę w stosunku do wcześniejszych wersji.
Podczas, gdy konwencjonalne regulatory wymagają do zapewnienia stabilności dołączenia kondensatorów o pojemności rzędu 1 µF, w przypadku nowych regulatorów wystarcza pojemność 0,22 µF, co dodatkowo pozwala zmniejszyć powierzchnię układu zasilania.
Regulatory serii BUxxJA2MNVX-C pracują w zakresie napięć wejściowych od 1,7 do 6 V i zapewniają stabilizację napięcia wyjściowego w zakresie od 1,0 do 3,4 V. Ich wydajność prądowa wynosi 200 mA.