100-woltowe tranzystory n-MOS z możliwością sterowania z układów logicznych
Toshiba Electronics Europe rozszerza serię tranzystorów U-MOS VIII-H o dwa niskonapięciowe modele n-kanałowe adresowane do szybkich ładowarek, przetwornic DC-DC i zasilaczy impulsowych. Są to tranzystory o napięciu przebicia 100 V. Mogą być sterowane napięciem 4,5 V bezpośrednio z wyjść układów logicznych, co eliminuje dodatkowe stopnie buforujące, a w konsekwencji zmniejsza pobór mocy.
Dzięki zastosowaniu niskonapięciowej technologii trench uzyskano w nich bardzo małą rezystancję kanału i zapewniono możliwość pracy z dużymi częstotliwościami przełączania. TPH6R30ANL pracuje z dopuszczalnym prądem drenu równym 45 A i charakteryzuje się rezystancją RDS(ON) równą 6,3 mΩ.
Drugi z nowych tranzystorów, TPH4R10ANL charakteryzuje się maksymalnym prądem drenu 70 A i rezystancją 4,1 mΩ. Oba są zamykane w obudowach SOP-Advance o powierzchni 6 x 5 mm.
