Tranzystor mocy GaN 200 V o 12-krotnie mniejszej powierzchni od krzemowych odpowiedników MOSFET

Firma Efficient Power Conversion (EPC) prezentuje nowy 200-woltowy tranzystor mocy zrealizowany na podłożu z azotku galu (GaN), którego powierzchnia montażowa jest 12-krotnie mniejsza od odpowiedników o porównywalnych parametrach, realizowanych w tradycyjnej technologii MOSFET. EPC2046 cechuje się rezystancją R_DS(on) równą maksymalnie 25 mΩ i maksymalnym prądem drenu 55 A w impulsie.

Jest produkowany w obudowie chip-scale o powierzchni 2,76 x 0,95 mm. Jego cena hurtowa wynosi 3,51 USD przy zamówieniach 1000 sztuk. EPC oferuje dodatkowo płytkę deweloperską o oznaczeniu EPC9079, dostępną w cenie 118,75 USD.