n-kanałowy MOSFET 40 V/150 A o typowej rezystancji kanału równej 0,85 m
Toshiba Electronics Europe poszerza ofertę tranzystorów MOSFET produkowanych w najnowszym procesie technologicznym Trench U-MOS-IX-H o nowy tranzystor 40-woltowy z wbudowaną diodą o łagodnej charakterystyce regeneracji (SRD), wyróżniający się małym poziomem generowanych zaburzeń elektromagnetycznych.
Dzięki wbudowanej diodzie SRD, nowy model TPH1R204PB jest w stanie ograniczyć do bardzo małych wartości impulsy napięciowe generowane między drenem i źródłem. Cecha ta czyni go idealnym do zastosowań w stopniach wtórnych impulsowych przetwornic DC-DC od których wymaga się małej emisji elektromagnetycznej.
Typowe aplikacje obejmują przetwornice AC-DC i DC-DC oraz układy napędowe m.in. w elektronarzędziach. TPH1R204PB jest 40-woltowym tranzystorem n-kanałowym o maksymalnej rezystancji kanału RDS(on) wynoszącej typowo 0,85 m @ VGS=10 V. Pracuje z dopuszczalnym ciągłym prądem drenu 150 A.
Jego ładunek bramki QSW wynosi 21 nC, a ładunek wyjściowy QOSS jedynie 56 nC. Maksymalna temperatura pracy kanału to +175°C. TPH1R204PB jest zamykany w obudowie SOP o wymiarach 6 x 5 x 0,95 mm.
