Małostratne wysokonapięciowe tranzystory MOSFET 600 V do zasilaczy impulsowych

Najnowsze wysokonapięciowe tranzystory superzłączowe CFD7 powiększają rodzinę tranzystorów CoolMOS 7 do układów impulsowych, pochodzących z oferty Infineon Technologies AG. Są to tranzystory o napięciu przebicia 600 V, zaprojektowane do zastosowań w zasilaczach impulsowych dużej mocy o topologii rezonansowej, stosowanych m.in. w zasilaczach serwerowych i telekomunikacyjnych oraz stacjach ładowania EV.

Pozwalają uzyskać dużą sprawność i niezawodność w topologiach soft switching, jak LLC i ZVS. Tranzystory produkowane w ramach serii CFD7 zawierają ultra-szybką diodą wewnętrzną. Charakteryzują się małym ładunkiem bramki (od 18 nC) i krótkim czasem wyłączania, wynikającym ze zmniejszonego nawet o 69% ładunku Q_rr w porównaniu z podobnymi tranzystorami konkurencyjnymi.

Według danych producenta, wszystko to pozwala zwiększyć o 1,45% sprawność przetwornicy pracującej w topologii LLC. Tranzystory CFD7 są produkowane w 5 wariantach obudów do montażu THT i SMT: TO-220 FullPAK, TO-247, TO-220, ThinPAK 8x8 i DPAK (TO-252).

W zależności od wersji mogą pracować z maksymalnym ciągłym prądem drenu od 6 do 63 A (277 A w impulsie).