Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm
Produkty
Kategorie
Produkcja elektroniki
Usługi CEM/EMS Obwody drukowane Obudowy dla urządzeń Urządzenia i wyposażenie produkcji Materiały do produkcji Narzędzia ręczne Oprogramowanie projektowe Laboratoria pomiarowe i badawcze Biura inżynierskie Usługi
Automatyka przemysłowa
Automatyzacja procesów Komponenty automatyki
Aparatura pomiarowa
Aparatura elektroniczna Aparatura energetyczna Mierniki wielkości nieelektrycznych Systemy pomiarowe Sprzęt i usługi kalibracji
Podzespoły elektroniczne
Podzespoły półprzewodnikowe Podzespoły energoelektroniczne Podzespoły elektromechaniczne Elementy optoelektroniczne Podzespoły pasywne Moduły elektroniczne OEM Źródła zasilania Oświetlenie LED
Przeglądaj kategorie
Złóż zapytanie ofertowe
Zobacz katalog firm

Podzespoły elektroniczne

Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M0+ do realizacji interfejsów HMI Mikrokontrolery z rdzeniem ARM Cortex-M0+ do realizacji interfejsów HMI
40-woltowy tranzystor GaN o rezystancji RDS(ON) równej 0,8 mΩ 40-woltowy tranzystor GaN o rezystancji RDS(ON) równej 0,8 mΩ
Szybki sterownik bramek z wyjściami high-side i low-side Szybki sterownik bramek z wyjściami high-side i low-side
Seria miniaturowych odbiorników GNSS o powierzchni 23 x 16 mm Seria miniaturowych odbiorników GNSS o powierzchni 23 x 16 mm
Mikrokontrolery z wbudowanym kontrolerem ekranów LCD do realizacji interfejsów HMI Mikrokontrolery z wbudowanym kontrolerem ekranów LCD do realizacji interfejsów HMI
10-watowe konwertery DC-DC do zastosowań w transporcie kolejowym 10-watowe konwertery DC-DC do zastosowań w transporcie kolejowym
80-woltowy MOSFET o rezystancji RDS(ON) równej 0,88 mΩ w obudowie PowerPAK 80-woltowy MOSFET o rezystancji RDS(ON) równej 0,88 mΩ w obudowie PowerPAK
Potencjometry do gitar elektrycznych i profesjonalnego sprzętu audio Potencjometry do gitar elektrycznych i profesjonalnego sprzętu audio
Małogabarytowy przekaźnik do ochrony przed dużymi prądami rozruchowymi w systemach do 800 V Małogabarytowy przekaźnik do ochrony przed dużymi prądami rozruchowymi w systemach do 800 V
Diody NIR LED o dużym natężeniu promieniowania do aplikacji AR/VR Diody NIR LED o dużym natężeniu promieniowania do aplikacji AR/VR
Drutowe cewki chipowe z kwalifikacją AEC-Q200 Drutowe cewki chipowe z kwalifikacją AEC-Q200
Bezpiecznik SMD 15 x 5 x 5 mm o zdolności wyłączania 1500 A Bezpiecznik SMD 15 x 5 x 5 mm o zdolności wyłączania 1500 A
Kyocera AVX Sprzęgacze kierunkowe do aplikacji VHF i UHF Kyocera AVX Sprzęgacze kierunkowe do aplikacji VHF i UHF
Konwertery DC-DC o ultraszerokim zakresie napięcia wejściowego Konwertery DC-DC o ultraszerokim zakresie napięcia wejściowego
Wielowarstwowy 100-woltowy kondensator MLCC o pojemności 10 µF w obudowie rozmiaru 3225 Wielowarstwowy 100-woltowy kondensator MLCC o pojemności 10 µF w obudowie rozmiaru 3225
Małostratne cewki indukcyjne 0,18...6,8 µH w zalewanych obudowach o wymiarach 6,7 x 6,5 x 3,6 mm Małostratne cewki indukcyjne 0,18...6,8 µH w zalewanych obudowach o wymiarach 6,7 x 6,5 x 3,6 mm
Cewki sprzężone do regulatorów napięcia o topologii TLVR Cewki sprzężone do regulatorów napięcia o topologii TLVR
Czujnik inercyjny z dwoma akcelerometrami MEMS i jednostką machine-learning Czujnik inercyjny z dwoma akcelerometrami MEMS i jednostką machine-learning
Zasilacze Open-Frame i w obudowach do szerokiej gamy zastosowań Zasilacze Open-Frame i w obudowach do szerokiej gamy zastosowań
650-woltowe tranzystory SiC MOSFET w obudowach DFN 8 x 8 mm 650-woltowe tranzystory SiC MOSFET w obudowach DFN 8 x 8 mm
Kondensatory polimerowe hybrydowe do zastosowań w przemyśle i motoryzacji Kondensatory polimerowe hybrydowe do zastosowań w przemyśle i motoryzacji
Czujniki światła o małych szumach i dużej czułości Czujniki światła o małych szumach i dużej czułości
5-wyjściowy generator zegarowy z technologią BAW do systemów PCIe Gen 1-7 5-wyjściowy generator zegarowy z technologią BAW do systemów PCIe Gen 1-7
Rezystory grubowarstwowe do ochrony przed impulsami o energii do 15 J/0,1 s Rezystory grubowarstwowe do ochrony przed impulsami o energii do 15 J/0,1 s
Oscylatory TCXO o stabilności ±1 ppm w zakresie temperatury od -55 do +125°C Oscylatory TCXO o stabilności ±1 ppm w zakresie temperatury od -55 do +125°C
Niskoprofilowe złącza kabel-płytka z możliwością montażu pod elementami chłodzenia Niskoprofilowe złącza kabel-płytka z możliwością montażu pod elementami chłodzenia
Kondensatory mikowe do aplikacji wojskowych i lotniczych Kondensatory mikowe do aplikacji wojskowych i lotniczych
Przekaźnik półprzewodnikowy o prądzie przewodzenia do 5 A w obudowie SOP-4 Przekaźnik półprzewodnikowy o prądzie przewodzenia do 5 A w obudowie SOP-4
Dwukierunkowy przełącznik na bazie tranzystora GaN 650 V z podwójną bramką Dwukierunkowy przełącznik na bazie tranzystora GaN 650 V z podwójną bramką
Seria cewek ferrytowych o prądzie przewodzenia do 1,6 A do aplikacji power-over-coax Seria cewek ferrytowych o prądzie przewodzenia do 1,6 A do aplikacji power-over-coax