wersja mobilna
Online: 1260 Wtorek, 2017.11.21

Biznes

Samsung inwestuje w fabrykę w USA

piątek, 13 sierpnia 2010 12:48

W ramach zakrojonego na szeroką skalę planu inwestycyjnego, Samsung planuje rozbudowę kosztem 3,6 mld dol. fabryki półprzewodników w Austin w Teksasie bazującej na krzemie 300mm. Już w marcu br. południowokoreański gigant otworzył w Austin centrum badań i rozwoju, zajmujące się projektowaniem układów logicznych.

Rys. 1. Udziały rynkowe dostawców układów NAND Flash w I kw. 2010 r. wg iSuppli

W powiększonej teksańskiej fabryce rozpocznie się produkcja układów logicznych zgodnie z zapotrzebowaniem pionu Systemów LSI Samsunga. Koncern zapowiedział zatrudnienie w zakładach dodatkowych 500 pracowników. Szukając możliwości wyjścia poza rynek układów pamięci, Samsung usiłuje mocniej zaangażować się w wytwarzanie m.in. układów logicznych. Produkuje już matryce CMOS oraz układy SoC, z których wiele trafi a prosto do produktów konsumenckich sprzedawanych pod marką koncernu, np. telefonów komórkowych.

Projekty układów SoC Samsunga doczekały się m.in. intratnych zamówień, ze strony Apple, który wykorzystuje je w iPhone’ach i iPadach. Koreański producent rozpoczął także sprzedaż układów mocy. Swój pierwszy zakład produkcji układów scalonych w Austin, fabrykę pamięci DRAM operującą na płytkach 200mm, Samsung uruchomił w 1997 r. Trzy lata temu koncern otworzył w Austin 300mm fabrykę pamięci NAND Flash, a w 2009 zamknął zakład 200mm.

Obecna inwestycja ma na celu rozpoczęcie produkcji układów logicznych w technologii 45mm, a jej uruchomienie, w tym oddanie do użytku tzw. clean rooms, jest przewidywane na połowę przyszłego roku. Do 2011 r. zatrudnienie w zakładach w Austin ma się zwiększyć z 1000 pracowników do około 1500. We wszystkich swoich fabrykach półprzewodników w 2010 r. Samsung zamierza zatrudnić łącznie dziesięć tysięcy nowych pracowników, w tym 3000 przy produkcji układów cyfrowych, a 4000 przy wytwarzaniu LED.

Starając się zwiększyć obroty poza rynkami pamięci, koreański koncern, od lat niekwestionowany lider rynków DRAM i NAND, nie może jednak zapomnieć o trudnej rywalizacji z innymi dostawcami układów NAND Flash, którzy nieustannie rozwijają technologię i najnowsze rozwiązania. Według analityków bardziej zaawansowane technologie produkcji wypracowały sojusze SanDiska z Toshibą oraz Microna z Intelem, dysponujące technologiami odpowiednio 24nm.

Według iSuppli Toshiba i Micron szybciej zwiększają gęstość upakowania informacji w układach pamięci, przechodząc na technologię trzech bitów w komórce, a ich ofensywa w dostawach nowych układów już się rozpoczęła. W szczególności, w I kw. 2010 r. udział Toshiby w rynku NAND Flash w ujęciu kwartalnym zwiększył się o 2,9%, udział Microna o 0,2%, podczas gdy Samsung stracił w rynku 1,3%. (MT)

 

World News 24h

wtorek, 21 listopada 2017 16:09

Chinese foundry SMIC has added direct bond interconnect capability from Invensas at its Avezzano, Italy, wafer fab. Invensas is a wholly owned subsidiary of Xperi Corp. The addition of DBI enables SMIC to manufacture hybrid stacked backside illuminated image sensors, as well as other semiconductor devices for applications in smartphones and automobiles. SMIC and Invensas previously signed a development license in March 2017. DBI technology is a low temperature hybrid wafer bonding solution that allows wafers to be bonded with scalable fine pitch 3D electrical interconnect without requiring bond pressure. DBI 3D interconnect can eliminate the need for through-silicon vias and reduce die size and cost while enabling pixel level interconnect for future generations of image sensors.

więcej na: www.eenewseurope.com

Produkty