Rewolucja SiC w ładowaniu samochodów elektrycznych

Inteligentne rozwiązania w zakresie ładowania prądem stałym odgrywają kluczową rolę w elektryfikacji, zwiastując rozwijający się rynek technologii SiC. Pojawienie się ładowania EV DC stanowi obiecujące przedsięwzięcie biznesowe dla firm specjalizujących się w energoelektronice. Rynek ten charakteryzuje się długoterminową rentownością ze względu na ciągłą rozbudowę infrastruktury ładowania i nadchodzącą potrzebę wymiany istniejącej infrastruktury.

Posłuchaj
00:00

Ładowarki prądu przemiennego mają działać z systemami OBC (on-board charger) w pojazdach, dopóki infrastruktura prądu stałego nie stanie się powszechnie dostępna, co ma potrwać 10-15 lat, ogłasza Yole Group w swoim raporcie DC Charging for Automotive na rok 2024. Do 2029 r. rynek systemów ładowania DC wzrośnie do 23 mld dolarów. W 2023 r. na rynku dominowały ładowarki o mocy od 50 do 150 kW, ale zauważalny jest wzrost popytu na ładowarki o większej mocy - zwłaszcza przekraczającej 150 kW. Do roku 2029 prymat rynkowy pod względem wartości - szacowanej na 9,2 mld dolarów - przypadnie ładowarkom o bardzo dużej mocy 150-350 kW.

- Główne trendy obserwowane w ładowarkach EV DC obejmują dwa kluczowe zagadnienia: wzrost maksymalnego napięcia ładowarki z 500 do 1000 V, aby objąć zarówno akumulatory 400, jak i 800 V, oraz podnoszenie poziomów mocy do ponad 350 kW w celu niezwykle szybkiego ładowania. Jednak ładowarki o mocy nominalnej przekraczającej 350 kW przewyższają obecne możliwości ładowania większości pojazdów elektrycznych - mówi dr Hassan Cheaito, analityk Yole Group ds. technologii i rynku w zakresie energoelektroniki.

Tranzystory krzemowe, w szczególności dyskretne tranzystory IGBT i MOSFET, pozostają powszechne w ładowarkach EV DC. Stosowanie układów SiC MOSFET jest napędzane przez takie czynniki, jak mniejsza powierzchnia zajmowana przez ładowarki, zwiększone możliwości termiczne (co skutkuje prostszymi i bardziej ekonomicznymi systemami chłodzenia) oraz wyższe napięcie przebicia wynoszące 1200 V. Wpływ tych parametrów, w połączeniu z korzystnym zwrotem z inwestycji (szczególnie w przypadku stacji ładowania o wysokim stopniu wykorzystania) sprzyja powszechnemu zastosowaniu technologii SiC. W ultraszybkich ładowarkach coraz częściej wykorzystywane są systemy chłodzenia cieczą, a rosnące zainteresowanie rozciąga się nawet na urządzenia o niższym poborze mocy w pomieszczeniach mieszkalnych, gdzie redukcja hałasu jest krytycznym czynnikiem.

fot. IONITY MEDIA DOWNLOADS

Źródło: Yole Group

Powiązane treści
Szybko rośnie wartość półprzewodników przypadająca na jeden samochód
LG uruchamia pierwszą amerykańską fabrykę ładowarek do pojazdów elektrycznych
Rynek pojazdów elektrycznych adoptuje nowe technologie, by nie zatrzymać rozwoju
Tranzystory o szerokiej przerwie energetycznej do pokładowych ładowarek pojazdów elektrycznych
Ładowanie bezprzewodowe z mocą 500 W
CATL, wprowadzając baterie Shenxing, otwiera erę superszybkiego ładowania pojazdów elektrycznych
Rynek SiC - 10 mld dolarów do 2029 roku
SiCrystal zwiększy produkcję płytek SiC
GM przyjmie w Ameryce Północnej standard ładowania Tesli
Zasilacze dużej mocy i ładowarki akumulatorów
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Komponenty
DigiKey i SparkFun współpracują w zakresie dostarczania zestawów robotycznych XRP
Pomiary
Nowa seria ultraszybkich digitalizerów GHz od Spectrum Instrumentation
Produkcja elektroniki
Produkcja półprzewodników według lokalizacji
Aktualności
Contrans współpracuje z EPT
Optoelektronika
Odwiedź targi Laser World of Photonics 2025 w Monachium!
Projektowanie i badania
Plessey wdraża system MES od Critical Manufacturing w celu wsparcia eksperymentalnych procesów produkcji microLED
Zobacz więcej z tagiem: Zasilanie
Technika
Kryteria wyboru konwertera DC-DC do aplikacji medycznych
Targi krajowe
Targi Energetyczne ENERGETICS
Targi krajowe
38. Międzynarodowe Energetyczne Targi Bielskie ENERGETAB 2025
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów