Toshiba produkuje pamięć NAND flash w procesie 24nm

| Gospodarka

Toshiba poinformowała o rozpoczęciu masowej produkcji pamięci NAND flash przy użyciu technologii procesu CMOS 24nm. Według firmy nowe układy charakteryzują się najmniejszą geometrią i największą gęstością spośród wszystkich dostępnych na rynku układów NAND flash.

Toshiba produkuje pamięć NAND flash w procesie 24nm
Nowa produkcja Toshiby obejmuje 64-gigabitowe układy pamięci zdolne do zapisu 2 bitów w jednej komórce. Firma zapowiada także wykonane w powyższej technologii pamięci NAND flash 32Gb zapisujących 3 bity w komórce.

Migracja procesu Toshiby w produkcji pamięci może utrudnić wprowadzenie na rynek alternatywnych technologii pamięci, takich jak MRAM czy phase change menory (PCM). Wcześniej w tym roku IM Flash, spółka Microna z Intelem, ogłosiła rozpoczęcie produkcji 64-gigabitowych układów NAND flash typu MLC w procesie 25nm.