Z danych wynika więc, że w rankingu największych dostawców japońską firmę dzielił od Samsunga tylko 1,1%. Według danych iSuppli różnica pomiędzy firmami w I kw. była jeszcze mniejsza wynosiła zaledwie 0,3%. Sytuacja ta może się wkrótce zmienić, biorąc pod uwagę uruchomienie przez obie firmy nowych fabryk tych układów w Japonii i Korei Południowej. W fabryce Samsunga w kompleksie Nano City powstawać ma aż 200 tysięcy 300-milimetrowych płytek tygodniowo, jeśli wierzyć wcześniejszym zapowiedziom koreańskiej firmy.
Toshiba z kolei, w sojuszu technologicznym z San-Diskiem, już wyprzedza Samsunga pod względem zaawansowania technologicznego, dostarczając na rynek pamięci NAND Flash wykonane w procesie technologicznym 24nm. W rankingu DRAMeXchange na kolejnych miejscach uplasowali się Micron, z udziałem w rynku na poziomie 11,4% oraz Hynix – odpowiednio 10,7%. Ze sprzedaży układów NAND Flash obie firmy zanotowały w I kw. roku obroty odpowiednio 610 mln dol. i 574 mln dol.
Micron także zwiększył bazę produkcyjną, rozbudowując, w ramach spółki z Intelem (IM Flash Technologies) fabrykę pamięci Flash w stanie Utah w USA. Pierwszą piątkę największych dostawców pamięci NAND Flash zamyka właśnie Intel, z kwartalnymi obrotami na poziomie 335 mln dol. Według danych iSuppli w omawianym okresie największy wzrost obrotów uzyskał Hynix, zwiększając je o 42,2% w skali roku, a za nim był Intel ze wzrostem o 33,3% w skali roku.
Rynek NAND Flash charakteryzował się w omawianym okresie umiarkowanym wzrostem sprzedaży kart pamięci i pamięci typu USB (pendrive), natomiast szybko rósł popyt na układy ze strony producentów OEM dostarczających urządzenia przenośne, tablety PC i smartfony. Ogólna wartość rynku układów NAND Flash w I kw. wyniosła 5,36 mld dol., rosnąc w ujęciu kwartalnym o 9,9% oraz w skali roku o 22,3%.
MT
