Toshiba rozbudowuje zakład produkcji półprzewodników Fab 5 Yokkaichi Operations

| Gospodarka

Firma Toshiba poinformowała o powiększeniu zakładu Fab 5 w celu zabezpieczenia powierzchni produkcyjnej dla pamięci NAND flash wytwarzanych w procesie technologicznym następnej generacji oraz dla nowych rodzajów pamięci 3D. Druga faza budowy Fab 5 rozpocznie się pod koniec sierpnia tego roku a zakończy w lecie roku 2014. Decyzje dotyczące inwestycji w sprzęt i produkcję odzwierciedlają aktualne tendencje rynkowe.

Toshiba rozbudowuje zakład produkcji półprzewodników Fab 5 Yokkaichi Operations

Yokkaichi Operations ma obecnie trzy zakłady produkujące pamięci NAND flash, w tym obiekt Fab 5 uruchomiony w lipcu 2011 r. po zrealizowaniu pierwszego etapu budowy. Budowa Fab 5 została zaplanowana w dwóch etapach. Po rozważeniu bilansu popytu i podaży produktów oraz odnotowaniu rynkowego ożywienia napędzanego przez rosnący popyt na smartfony, tablety i dyski SSD, firma Toshiba uznała, że jest to właściwy moment, aby rozwinąć fabrykę.

Zakład produkcji półprzewodników Fab 5 fazy drugiej będzie wyposażony w zautomatyzowany system transportu produktów a jego struktura będzie absorbować trzęsienia ziemi. Fabryka będzie zaprojektowana tak, by zminimalizować obciążenie dla środowiska. Wdrożenie oświetlenia LED oraz energooszczędnych urządzeń produkcyjnych wraz z pełnym i efektywnym wykorzystaniem ciepła odpadowego zapewni ograniczenie emisji CO2 o 13% w porównaniu do zakładu Fab 4.

źródło: Toshiba