Hynix i Toshiba zdecydowali o podjęciu strategicznej współpracy przy tworzeniu technologii pamięci magnetorezystancyjnej STT-MRAM (Spin-Transfer Torque MRAM), szybko rozwijającego się urządzenia pamięci następnej generacji. Po opracowaniu technologii firmy planują wspólne wytwarzanie produktów MRAM poprzez spółkę joint-venture.
Według Toshiby technologia pamięci MRAM pozwoli jej w przyszłości uzyskiwać zwrot z działalności na rynku półprzewodników. Hynix dysponuje z kolei jedną z bardziej zaawansowanych technologii produkcyjnych, specjalizując się w optymalizacji procesu wytwarzania i niskich kosztach. Jeden z powodów współpracy obu firm to zminimalizowanie ryzyka związanego z rozwojem nowej technologii oraz przyspieszenie tempa jej upowszechnienia na rynku.
MT
Poszukuję produktu lub usługi
Chcę skontaktować się z firmą
Mam pytanie ogólne
