Koreański SK Hynix ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji 64-gigabitowych układów pamięci multi level NAND Flash, z wykorzystaniem najcieńszego w branży procesu technologicznego. SK Hynix poinformował również, że opracował 128 Gb układ o największym zagęszczeniu w jednym chipie MLC. Pamięci te mają być masowo produkowane od początku przyszłego roku. Zdaniem firmy, pozwoli jej to przyspieszyć tempo rozwoju układów TLC (Triple Level Cell) oraz 3D NAND Flash.
Masowe wytwarzanie pierwszej wersji 16-nanometrowych chipów NAND Flash SK Hynix rozpoczął w czerwcu bieżącego roku. Druga wersja pamięci, która właśnie została uruchomiona, jest bardziej konkurencyjna cenowo ze względu na mniejszy rozmiar. Cieńszy proces technologiczny redukuje występujące w komórkach zakłócenia. W celu ich ograniczenia producent stosuje też własną technologię - "Air-Gap".
źródło: Yonhap News Agency
» SK Hynix odnotował w II kwartale rekordowy zysk
» SK hynix zainwestuje w zaplecze produkcyjne nawet 13,5 mld dolarów
» Nadpodaż na rynku NAND flash nie szkodzi producentom najlepszych układów
» Globalne dostawy układów NAND Flash wzrosły w II kwartale o 3,4%
» Micron i Hynix zyskują na upowszechnianiu się standardu NAND Flash
» Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4
» Toshiba produkuje pamięć NAND flash w procesie 24nm
Renesas Electronics Corporation announced an update to its “Embedded Target for RH850 Multicore” model-based development environment for multicore microcontrollers for automotive control applications. The update supports development of systems with multirate control, which is now common in systems such as engine and body control systems. This model-based development environment has become practical even in software development scenarios for multicore MCUs, and can reduce the increasingly complex software development burdens especially in control system development of self-driving cars.
więcej na: www.renesas.com
