Hynix zapowiada pamięć DRAM DDR4

Według firmy nowe układy będzie charakteryzować przepustowość 2400 Mbit/s, czyli będą one najszybsze na rynku, szybsze m.in. od zapowiedzianych ostatnio przez Samsunga urządzeń konkurencyjnych o przepustowości 2133 Mbit/s przy napięciu zasilania 1,2V. Nowy standard pozwoli obniżyć zużycie prądu i jednocześnie podwoić prędkość przenoszenia danych w porównaniu do DDR3. IHS-iSuppli twierdzi, że w 2015 r. połowę rynku pamięci DRAM stanowić będą układy DDR4.

Powiązane treści

Samsung i SK hynix jednocześnie ogłaszają, że jako pierwsze na świecie opracowały pamięci LPDDR4

SK Hynix rozpoczyna masową produkcję pamięci NAND Flash 16nm

SK Hynix odnotował w II kwartale rekordowy zysk

Samsung uruchomił masową produkcję pamięci DDR4 w technologii 20nm

Micron i Hynix zyskują na upowszechnianiu się standardu NAND Flash

CIA zamówiła największy system pamięci masowej

Dostawy pamięci DRAM windują smartfony

Aplikacje mobilne napędzają sprzedaż DRAM

Hynix i Micron zwiększą wydatki na sprzęt

Hynix na plusie w III kw.

Samsung i Hynix przedstawiają bardzo dobre wyniki za II kwartał

Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka

Projektowanie i badania

Element14 Community zaprasza inżynierów na cykl bezpłatnych webinariów technicznych

Komponenty

Samsung, SK hynix i Micron pozwane w USA w sprawie domniemanego ograniczania podaży DRAM

Komponenty

Mouser Electronics poszerza ofertę automatyki przemysłowej o dziewięciu nowych producentów

Komponenty

Micron i General Motors zawarli strategiczną umowę dotyczącą dostaw pamięci dla pojazdów nowej generacji

Elektromechanika

MyDefence rozwija technologie antydronowe i wzmacnia bezpośrednią obecność na polskim rynku obronnym

Produkcja elektroniki

Polski EMS dla programu Wisła. OBR CTM uruchomił Centrum Elektroniki Militarnej

Zobacz więcej z tagiem: Artykuły

Mikrokontrolery PIC32CM PL10 - wydajność 32-bitowego rdzenia Arm Cortex-M0+ i odporność na zakłócenia w projektach 5 V

Firma Microchip Technology prezentuje nową rodzinę mikrokontrolerów (MCU) PIC32CM PL10, która wprowadza wydajność 32-bitowych rdzeni Arm® Cortex®-M0+ do systemów zasilanych napięciem 5 V. Dzięki zgodności wyprowadzeń z 8-bitowymi rodzinami układów AVR® Dx, nowa seria stanowi doskonałą propozycję dla inżynierów poszukujących łatwej ścieżki migracji z architektury 8-bitowej na 32-bitową, pozbawionej konieczności poważnego przebudowywania układów zasilania na płycie czy uczenia się od nowa obsługi układów peryferyjnych.