Najnowszy układ DRAM może działać przy stosunkowo niskim napięciu zasilającym 1,1 V, niższym niż 1,2 V w przypadku LPDDR3. Szybkość układu osiąga 3200 megabitów na sekundę (Mbps), czyli dwa razy więcej niż w wersji LPDDR3.
Samsung zapowiedział, że zastosowanie nowego chipu LPDDR4 będzie koncentrować na najlepszych urządzeniach mobilnych i ultracienkich notebookach. Z kolei SK hynix chce umieszczać nową pamięć DRAM we flagowych urządzeniach mobilnych już w 2014 r. i stopniowo rozszerzać jej zastosowanie, aby produkty firmy osiągnęły wiodącą pozycję w branży w roku 2016.
źródło: Yonhap News Agency
