Światowy lider w dziedzinie technologii pamięci ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji najbardziej zaawansowanych układów DDR3, opartych na procesie technologicznym 20 nanometrów. Technologia Samsunga umożliwia produkcję tych pamięci przy użyciu dotychczas wykorzystywanego sprzętu do fotolitografii i ustanawia bazę dla rozwoju kolejnej generacji DRAM - klasy 10 nm. Samsung poprawił również wydajność produkcji - o 30% w stosunku do procesu 25 nm i ponad dwukrotnie w porównaniu do pamięci DDR3 klasy 30 nm.
Nowe moduły DDR3 4 Gb 20 nm zużywają do 25% mniej energii niż równoważne moduły produkowane przy użyciu technologii 25 nanometrów. Poprawa ta stanowi podstawę do produkcji najbardziej zaawansowanych ekologicznie przemysłowych rozwiązań informatycznych.
- Nowe, energooszczędne 20-nanometrowe pamięci DDR3 DRAM Samsunga będą szybko poszerzać swój udział w rynku IT, w tym w zakresie komputerów osobistych i przenośnych, i szybko osiągną status pamięci głównego nurtu - powiedział Young-Hyun Jun, wiceprezes działu sprzedaży pamięci i marketingu Samsung Electronics. - Samsung nadal będzie dostarczać układy DRAM kolejnych generacji i ekologiczne rozwiązania pamięci szybciej niż konkurenci, jednocześnie przyczyniając się do wzrostu globalnego rynku IT w ścisłej współpracy z naszymi głównymi klientami.
Według danych pochodzących z rynkowych badań firmy Gartner, światowy rynek pamięci DRAM wzrośnie z 35,6 mld dolarów w 2013 r. do 37,9 mld dolarów w roku 2014.
źródło: Samsung
» Samsung i Micron produkują pamięci DRAM w procesie 20 nm
» Globalny rynek pamięci DRAM wzrośnie w 2015 r. o 16%
» Samsung Electronics za 14,7 mld dolarów zbuduje w Korei nową fabrykę chipów
» Produkty Apple'a w 2015 r. pochłoną 25% wydajności producentów DRAM
» Samsung wstrzymał współpracę z chińskim podwykonawcą
» Legacy Electronics i Samsung C&T Automation współpracują w zakresie urządzeń do produkcji półprzewodników
» W rankingu inwestorów niezmiennie przodują Samsung i Intel
» Wartość rynku układów DRAM do urządzeń mobilnych w IV kw. osiągnęła 3 mld dolarów
» Samsung i SK hynix jednocześnie ogłaszają, że jako pierwsze na świecie opracowały pamięci LPDDR4
» Otwarto krakowskie centrum badawczo-rozwojowe Samsunga
» Samsung uruchomił masową produkcję pamięci DDR4 w technologii 20nm
» Samsung zbuduje 5 nowych ośrodków B+R za 4,5 mld dol.
Foxconn said the U.S. and Chinese governments are engaged in a technology war, not a trade war, describing the spat as the biggest challenge the Taiwanese company is facing. President Donald Trump said Washington would hit $200 billion of Chinese imports with 10 percent tariffs if Beijing retaliates against his previous announcement to target $50 billion in imports. The United States has accused China of stealing U.S. intellectual property, a charge Beijing denies. “The biggest challenge we’re facing is the U.S.-China trade war. In terms of how we manage and adapt, this is something all our high-level managers are making various plans on,” Chairman Terry Gou said at the company’s annual general meeting.
więcej na: www.reuters.com
