Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM 4 Gb DDR3 w procesie 20 nm

Światowy lider w dziedzinie technologii pamięci ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji najbardziej zaawansowanych układów DDR3, opartych na procesie technologicznym 20 nanometrów. Technologia Samsunga umożliwia produkcję tych pamięci przy użyciu dotychczas wykorzystywanego sprzętu do fotolitografii i ustanawia bazę dla rozwoju kolejnej generacji DRAM - klasy 10 nm. Samsung poprawił również wydajność produkcji - o 30% w stosunku do procesu 25 nm i ponad dwukrotnie w porównaniu do pamięci DDR3 klasy 30 nm.

Posłuchaj
00:00

Nowe moduły DDR3 4 Gb 20 nm zużywają do 25% mniej energii niż równoważne moduły produkowane przy użyciu technologii 25 nanometrów.  Poprawa ta stanowi podstawę do produkcji najbardziej zaawansowanych ekologicznie przemysłowych rozwiązań informatycznych.

- Nowe, energooszczędne 20-nanometrowe pamięci DDR3 DRAM Samsunga będą szybko poszerzać swój udział w rynku IT, w tym w zakresie komputerów osobistych i przenośnych, i szybko osiągną status pamięci głównego nurtu - powiedział Young-Hyun Jun, wiceprezes działu sprzedaży pamięci i marketingu Samsung Electronics. - Samsung nadal będzie dostarczać układy DRAM kolejnych generacji i ekologiczne rozwiązania pamięci szybciej niż konkurenci, jednocześnie przyczyniając się do wzrostu globalnego rynku IT w ścisłej współpracy z naszymi głównymi klientami.

Według danych pochodzących z rynkowych badań firmy Gartner, światowy rynek pamięci DRAM wzrośnie z 35,6 mld dolarów w 2013 r. do 37,9 mld dolarów w roku 2014.

źródło: Samsung

Powiązane treści
Samsung i Micron produkują pamięci DRAM w procesie 20 nm
Globalny rynek pamięci DRAM wzrośnie w 2015 r. o 16%
Samsung Electronics za 14,7 mld dolarów zbuduje w Korei nową fabrykę chipów
Produkty Apple'a w 2015 r. pochłoną 25% wydajności producentów DRAM
Samsung wstrzymał współpracę z chińskim podwykonawcą
Legacy Electronics i Samsung C&T Automation współpracują w zakresie urządzeń do produkcji półprzewodników
W rankingu inwestorów niezmiennie przodują Samsung i Intel
Wartość rynku układów DRAM do urządzeń mobilnych w IV kw. osiągnęła 3 mld dolarów
Samsung i SK hynix jednocześnie ogłaszają, że jako pierwsze na świecie opracowały pamięci LPDDR4
Otwarto krakowskie centrum badawczo-rozwojowe Samsunga
Samsung uruchomił masową produkcję pamięci DDR4 w technologii 20nm
Samsung zbuduje 5 nowych ośrodków B+R za 4,5 mld dol.
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Komponenty
Rozwiązania Same Sky z zakresu łączności, systemów audio i zarządzania temperaturą
Komponenty
Samsung zwiększa inwestycje do 73 mld USD, przyspieszając rozwój chipów AI
Komponenty
Apple skupuje mobilną pamięć DRAM, ograniczając dostępność dla konkurencji
Produkcja elektroniki
Znowu rosną ceny półprzewodników
Aktualności
Drogie pamięci wypchną z rynku podstawowe komputery
Aktualności
Zakończono podział Creotech Instruments. Debiut giełdowy Creotech Quantum już 17 kwietnia
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Targi krajowe
Targi Euro Target Show 2026
Magazyn
Marzec 2026
Magazyn
Luty 2026

Jak kompensować moc bierną w małej firmie, by płacić mniej za energię bierną?

Z reguły małej firmy nie stać na zakup automatycznego kompensatora mocy biernej. Niemniej, sytuacja nie jest bez wyjścia i w tym artykule na prostym przykładzie pokazane zostało podejście do rozwiązania problemu mocy biernej.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów