Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM 4 Gb DDR3 w procesie 20 nm

Światowy lider w dziedzinie technologii pamięci ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji najbardziej zaawansowanych układów DDR3, opartych na procesie technologicznym 20 nanometrów. Technologia Samsunga umożliwia produkcję tych pamięci przy użyciu dotychczas wykorzystywanego sprzętu do fotolitografii i ustanawia bazę dla rozwoju kolejnej generacji DRAM - klasy 10 nm. Samsung poprawił również wydajność produkcji - o 30% w stosunku do procesu 25 nm i ponad dwukrotnie w porównaniu do pamięci DDR3 klasy 30 nm.

Posłuchaj
00:00

Nowe moduły DDR3 4 Gb 20 nm zużywają do 25% mniej energii niż równoważne moduły produkowane przy użyciu technologii 25 nanometrów.  Poprawa ta stanowi podstawę do produkcji najbardziej zaawansowanych ekologicznie przemysłowych rozwiązań informatycznych.

- Nowe, energooszczędne 20-nanometrowe pamięci DDR3 DRAM Samsunga będą szybko poszerzać swój udział w rynku IT, w tym w zakresie komputerów osobistych i przenośnych, i szybko osiągną status pamięci głównego nurtu - powiedział Young-Hyun Jun, wiceprezes działu sprzedaży pamięci i marketingu Samsung Electronics. - Samsung nadal będzie dostarczać układy DRAM kolejnych generacji i ekologiczne rozwiązania pamięci szybciej niż konkurenci, jednocześnie przyczyniając się do wzrostu globalnego rynku IT w ścisłej współpracy z naszymi głównymi klientami.

Według danych pochodzących z rynkowych badań firmy Gartner, światowy rynek pamięci DRAM wzrośnie z 35,6 mld dolarów w 2013 r. do 37,9 mld dolarów w roku 2014.

źródło: Samsung

Powiązane treści
Samsung i Micron produkują pamięci DRAM w procesie 20 nm
Globalny rynek pamięci DRAM wzrośnie w 2015 r. o 16%
Samsung Electronics za 14,7 mld dolarów zbuduje w Korei nową fabrykę chipów
Produkty Apple'a w 2015 r. pochłoną 25% wydajności producentów DRAM
Samsung wstrzymał współpracę z chińskim podwykonawcą
Legacy Electronics i Samsung C&T Automation współpracują w zakresie urządzeń do produkcji półprzewodników
W rankingu inwestorów niezmiennie przodują Samsung i Intel
Wartość rynku układów DRAM do urządzeń mobilnych w IV kw. osiągnęła 3 mld dolarów
Samsung i SK hynix jednocześnie ogłaszają, że jako pierwsze na świecie opracowały pamięci LPDDR4
Otwarto krakowskie centrum badawczo-rozwojowe Samsunga
Samsung uruchomił masową produkcję pamięci DDR4 w technologii 20nm
Samsung zbuduje 5 nowych ośrodków B+R za 4,5 mld dol.
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Komponenty
RS przejmuje Distrelec - powstaje nowy potentat dystrybucji przemysłowej
Komponenty
Generatywna sztuczna inteligencja zmienia globalny rynek procesorów
Aktualności
Samsung otwiera w Warszawie największe centrum biznesowe w Europie
Aktualności
Samsung i OpenAI nawiązują strategiczne partnerstwo na rzecz rozwoju globalnej infrastruktury AI
Produkcja elektroniki
Powstaje gigant wart 4,4 mld dolarów - czwarty co do wielkości dostawca sprzętu do produkcji płytek półprzewodnikowych w USA
Optoelektronika
Smartwatche napędzają rozwój wyświetlaczy Micro LED
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Magazyn
Wrzesień 2025
Magazyn
Sierpień 2025
Magazyn
Lipiec 2025

Najczęstsze błędy przy projektowaniu elektroniki i jak ich uniknąć

W elektronice „tanio” bardzo często znaczy „drogo” – szczególnie wtedy, gdy oszczędza się na staranności projektu. Brak precyzyjnych wymagań, komponent wycofany z produkcji czy źle poprowadzona masa mogą sprawić, że cały produkt utknie na etapie montażu SMT/THT albo testów funkcjonalnych. Konsekwencje są zawsze te same: opóźnienia i dodatkowe koszty. Dlatego warto znać najczęstsze błędy, które pojawiają się w projektach elektroniki – i wiedzieć, jak im zapobiegać.
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów