Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM 4 Gb DDR3 w procesie 20 nm
| GospodarkaŚwiatowy lider w dziedzinie technologii pamięci ogłosił rozpoczęcie masowej produkcji najbardziej zaawansowanych układów DDR3, opartych na procesie technologicznym 20 nanometrów. Technologia Samsunga umożliwia produkcję tych pamięci przy użyciu dotychczas wykorzystywanego sprzętu do fotolitografii i ustanawia bazę dla rozwoju kolejnej generacji DRAM - klasy 10 nm. Samsung poprawił również wydajność produkcji - o 30% w stosunku do procesu 25 nm i ponad dwukrotnie w porównaniu do pamięci DDR3 klasy 30 nm.
Nowe moduły DDR3 4 Gb 20 nm zużywają do 25% mniej energii niż równoważne moduły produkowane przy użyciu technologii 25 nanometrów. Poprawa ta stanowi podstawę do produkcji najbardziej zaawansowanych ekologicznie przemysłowych rozwiązań informatycznych.
- Nowe, energooszczędne 20-nanometrowe pamięci DDR3 DRAM Samsunga będą szybko poszerzać swój udział w rynku IT, w tym w zakresie komputerów osobistych i przenośnych, i szybko osiągną status pamięci głównego nurtu - powiedział Young-Hyun Jun, wiceprezes działu sprzedaży pamięci i marketingu Samsung Electronics. - Samsung nadal będzie dostarczać układy DRAM kolejnych generacji i ekologiczne rozwiązania pamięci szybciej niż konkurenci, jednocześnie przyczyniając się do wzrostu globalnego rynku IT w ścisłej współpracy z naszymi głównymi klientami.
Według danych pochodzących z rynkowych badań firmy Gartner, światowy rynek pamięci DRAM wzrośnie z 35,6 mld dolarów w 2013 r. do 37,9 mld dolarów w roku 2014.
źródło: Samsung
