Samsung i Micron produkują pamięci DRAM w procesie 20 nm
| Gospodarka ArtykułyRynek pamięci DRAM wymknął się w IV kwartale ubiegłego roku tendencji okresowego spowolnienia i średnie ceny kontraktowe układów były wyższe niż w kwartale wcześniejszym, pomimo stopniowych spadków cen od listopada, poinformował serwis analityczny DRAMeXchange. Główni dostawcy układów DRAM aktywnie przechodzili do procesów 20/25 nm, a dodatkowa wielkość produkcji znalazła odzwierciedlenie w kwartalnych obrotach na rynku w wysokości 13 mld dolarów, o 8,2% więcej w skali kwartalnej. Obroty na rynku DRAM w ostatnim kwartale 2014 r. okazały się historycznie rekordowe.
Zdaniem analityków dostawcy układów DRAM notują obecnie wysoką rentowność, a przechodzenie do nowszych technologii wytwarzania skutkuje większą i dobrze ukierunkowaną produkcją. Najbardziej dochodowym dostawcą pamięci DRAM okazał się Samsung, jego marża operacyjna w IV kw. wyniosła 47%. Za nim z marżą 42-procentową uplasował się SK Hynix.
Trzeci był Micron z marżą operacyjną 29,5% poprawioną w stosunku do wcześniejszego kwartału dzięki większemu udziałowi firmy w dostawach pamięci DRAM stosowanych w serwerach. Według prognoz DRAMeXchange dostawcy w obecnym roku mogą się spodziewać wymiernych zysków, a wartość dostaw w całym roku ma wynieść 52,3 mld dolarów, o 13% więcej w skali roku.
DRAM 20 nm
Sukces Samsunga wiąże się z rozpoczęciem przez Koreańczyków w IV kw. produkcji masowej w procesach 20 i 23 nm, i wprowadzeniem tych właśnie układów na rynek. Proces 20 nm zapewnił poprawę wydajności produkcji o 30% w stosunku do procesu 25 nm. Jednocześnie wciąż rosła wielkość produkcji w technologii 25 nm, co znalazło odzwierciedlenie w wysokich marżach firmy w porównaniu do rywali.
Lider rynku DRAM nie przestaje inwestować podejmując wysiłki, aby utrzymać czołową pozycję wśród dostawców. Pod koniec ubiegłego roku Samsung ogłosił plany budowy innowacyjnej i zaawansowanej technologicznie, nowej fabryki układów pod Seulem za 14,7 mld dolarów. Produkcja w fabryce ma ruszyć w drugiej połowie 2017 r. i najprawdopodobniej - firma nie sprecyzowała dokładnego profilu wytwarzania - powstawać w niej będą właśnie pamięci DRAM, jak również flash (w tym pamięci 3D V-NAND) oraz procesory aplikacyjne. Układy te to bowiem centralne półprzewodniki w podstawowych konsumenckich produktach Samsunga.
Drugi dostawca pamięci DRAM z Korei - SK Hynix - z powodzeniem przeszedł do procesu 25 nm, rozpoczynając masową produkcję w III kw., skutkiem czego znacznie rozwinął sprzedaż globalną w ostatnim kw. 2014 r. Ze wszystkich dostawców pamięci DRAM SK Hynix zanotował największy, 13-procentowy w ujęciu kwartalnym, wzrost sprzedaży.
| Ranking dostawców pamięci DRAM w IV kw. 2014 r. w mln dolarów (źródło: DRAMeXchange) | ||||
| Pozycja | Firma | Obroty w IV kw. 2014 r. | Zmiana kwartalna | Udział w rynku |
| 1. | Samsung | 5369 | 7% | 41,4% |
| 2. | SK Hynix | 3603 | 12,9% | 27,7% |
| 3. | Micron | 3110 | 8,9% | 24% |
| 4. | Nanya | 403 | -7,7% | 3,1% |
| 5. | Winbond | 168 | -4,2% | 1,3% |
| 6. | Powerchip | 101 | -1,1% | 0,8% |
| Inne | 230 | -7% | 1,8% | |
| Razem | 12984 | 8% | 100% | |
Telefony i motoryzacja
Produkcję próbną układów DRAM w technologii 20 nm rozpoczął w IV kw. Micron. Firma planuje do końca br. wytwarzać w tym procesie 80 tysięcy płytek krzemowych miesięcznie. Micron zwiększył sprzedaż w IV kw. o 9%, m.in. dzięki dostawom pamięci przeznaczonym do urządzeń mobilnych i serwerów. Ponadto w ostatnim kwartale roku Micron wprowadził na rynek pamięci DRAM, a także flash, SSD i eMMC, ukierunkowane na produkty przeznaczone do internetu przedmiotów (IoT) i motoryzacji. Układy DRAM do urządzeń IoT muszą obsługiwać nowe architektury pobierania i zapisu danych, m.in. związane ze standardami 3G i 4G. Z kolei układy do samochodów spełniają wymogi zapisu technologii infotainment, zapobiegania kolizjom drogowym, licznych czujników czy telematyki.
Samsung pod koniec 2014 r. wypuścił na rynek produkowane w procesie 20 nm pamięci DRAM LPDDR4 przeznaczone do urządzeń mobilnych. Układ LPDDR4 o pojemności 4 GB osiąga prędkość zapisu 3200 Mbits i pracuje przy napięciu zasilającym zaledwie 1,1V, co ma znaczenie przy zastosowaniach mobilnych. Tak zaawansowane pamięci do telefonów są niezbędne do szybkiego przetwarzania danych i sprawnego wyświetlania dobrej jakości filmów wideo na dużych ekranach.
Marcin Tronowicz
