Chip DRAM 8Gb DDR4 klasy 10 nm jest o 30% wydajniejszy od układu 8Gb DDR4 20 nm. Nowa pamięć obsługuje szybkość transferu danych 3200 megabitów na sekundę (Mbps), czyli o ponad 30% szybciej niż 2,400 Mbps w przypadku DRAM DDR4 20 nm. Ponadto nowe moduły złożone z chipów klasy 10 nm zużywają od 10 do 20% mniej energii w porównaniu z odpowiednikami 20-nanometrowymi.
W niedalekiej przyszłości Samsung planuje również uruchomienie produkcji nowej generacji 10-nanometrowych modułów DRAM dla urządzeń mobilnych.
źródło: Business Wire
Chcesz częściej widzieć nasze artykuły w Google?
Dodaj ElektronikaB2B do ulubionych źródeł
