Firmy SK Hynix i Micron ogłaszają plany rozwoju 10-nanometrowych pamięci DRAM
| Gospodarka ArtykułySK Hynix i Micron planują opracowanie i produkcję 10-nanometrowych pamięci DRAM, aby dogonić firmę Samsung Electronics. Micron, trzeci co do wielkości producent pamięci DRAM na świecie, planuje w ciągu najbliższych dwóch do trzech lat zainwestować 2 mld dolarów w rozwój i badania na technologią 13 nm układów DRAM. W tym celu amerykański producent utworzył już w zakładzie w Hiroszimie pomieszczenia typu clean-room oraz zakupił urządzenia produkcyjne najnowszej generacji.
Szacuje się, że gdy firma zakończy wdrażanie procesu 13 nm produkcja wzrośnie o ponad 20% w porównaniu do wytwarzania pamięci DRAM w technologii 18 nm, która na masową skalę ruszyła w pierwszym kwartale bieżącego roku.
Z kolei w drugiej połowie bieżącego roku SK Hynix rozpocznie masową produkcję 18-nanometrowych pamięci DRAM przeznaczonych dla komputerów, a następnie rozszerzy wytwarzanie tych układów na urządzenia przenośne. Koreański producent zamierza skoncentrować się przede wszystkim na podniesieniu rentowności swojego procesu 21 nm, a następnie - w przyszłym roku - stopniowo przechodzić z procesu 20 nm do 18 nm.
Samsung Electronics - firma nr 1 w przemyśle półprzewodnikowym - utrzymuje stabilną rentowność dzięki swojej konkurencyjności w zakresie zaawansowanych procesów, wyprzedzając konkurentów o około dwa lata. Już w drugiej połowie ubiegłego roku Samsung rozpoczął masową produkcję chipów 18 nm, a w drugiej połowie tego roku zamierza uruchomić wytwarzanie pamięci DRAM w technologii 15 nm.
źródło: BusinessKorea
