Rys. 1. Dostawy pamięci DRAM według iSuppli z prognozą z sierpnia 2010 r. i procentowy wzrost dostaw (w milionach układów 1 Gbit i podobnych)
Nowe pamięci firmy to układy DDR3 SDRAM o pojemności 2-Gbit. Zapowiadane już wcześniej przez Samsunga układy tej klasy znajdą zastosowanie w serwerach centrów obliczeniowych i pecetach. W porównaniu do urządzeń wykonanych w technologii klasy 40nm, według producenta pracują one przy poborze mocy niższym co najmniej o 14%. Nowe pamięci działają z napięciem zasilającym 1,35V i są taktowane częstotliwościami 1,066-, 1,330-, 1,866- oraz 2,133-MHz.
W rywalizacji biorą udział również pozostali wielcy producenci DRAM, Elpida, Hynix i Micron. We wrześniu br. roku Elpida zdołała dokończyć rozwój technologii DDR3 SDRAM. Te 2-gigabitowe układy również pracują z napięciem 1,35V i z częstotliwością 1,8 GHz, firma planuje produkcję pilotażową jak i seryjną od grudnia 2010 r. Hynix dostarcza na rynek układy 40-nanometrowe i przyspiesza prace nad procesem klasy 30-nm. Wykonane w tym procesie pamięci DDR3 mają zostać wprowadzone na rynek w pierwszej połowie 2011 r.
Micron z kolei dokonał przejścia z 50nm do 42nm, jednak w III kw. wymiernie obniżyły się obroty tej firmy na rynkach zarówno układów DRAM jak i NAND, poinformował VLSI. Za przyczynę spadków analitycy uznają zastój w sektorze komputerów PC, największym rynku dla pamięci DRAM. Pozytywne dla producentów pamięci operacyjnych sygnały płyną natomiast z utrzymującej się dobrej sprzedaży innych urządzeń, takich jak telefony komórkowe, tablety PC i smartbooki. (MT)
