wersja mobilna
Online: 725 Poniedziałek, 2018.06.25

Biznes

HTC otwiera europejską centralę w Wielkiej Brytanii

czwartek, 30 czerwca 2011 09:04

Jeden z największych producentów smartfonów – tajwański HTC - poinformował o otworzeniu nowej europejskiej centrali w Slough w Wielkiej Brytanii. Firma zamierza w ten sposób zwiększyć swoje zaangażowanie we współpracę z partnerami w rejonie EMEA.

Nowa siedziba stanie się miejscem pracy dla kadry zarządzającej, działu sprzedaży i marketingu oraz zespołów inżynierskich HTC EMEA i HTC UK. Florian Seiche, President HTC EMEA powiedział:

"Slough jest idealnym miejscem do prowadzenia działań w Europie i Wielkiej Brytanii oraz odnoszenia kolejnych sukcesów. Miasto oferuje doskonałą sieć połączeń i łatwy dostęp do Londynu, a co za tym idzie, wszystkich większych miejscowości w Europie."

"Planujemy w najbliższych latach zwiększać nasze zaangażowanie w regionie EMEA i z niecierpliwością czekamy na możliwość korzystania z nowoczesnej siedziby. Dzięki obecności na rynku europejskim będziemy mogli zabrać więcej danych o sposobach, w jaki będą się komunikować użytkownicy, a co za tym idzie tworzyć teraz i w przyszłości nowe innowacyjne produkty."

MP

 

World News 24h

niedziela, 24 czerwca 2018 19:52

TT Electronics has introduced SMD power inductors for use in high power density applications where size is critical. The low-profile devices are suitable for use in DC-DC converters using high switching frequencies up to 3MHz as well as EMI and low pass DC filters. Applications in the transportation field include powertrain, engine control, transmission control, LED driver, ABS braking systems, EPS, radar systems, and camera control systems. In the industrial sector they are suirable for use in automation systems as well as DC-DC converters. The HA66 series is a low profile, low loss, ferrite-based inductor designed with a wide range of inductances and package sizes. The series comprises a range of 38 inductors with inductance ratings from 2.5 to 220µH, DC resistances from 0.018 to 0.820Ω and Irms values from 1.22 to 11.2A.

więcej na: www.electronicsweekly.com