wersja mobilna
Online: 418 Sobota, 2018.04.21

Biznes

Farnell zwiększy ochronę podzespołów wrażliwych na wilgoć

piątek, 05 sierpnia 2011 09:20

Farnell poinformował o wdrożeniu specjalnych procedur pakowania i manipulowania podzespołami wrażliwymi na wilgoć. Będą one przydatne dla klientów wykorzystujących nowe procesy technologiczne i ograniczą konieczność wygrzewania komponentów przed montażem.

Początkowo procedurami objęte zostanie w przybliżeniu 2500 elementów, a w kolejnych miesiącach do grupy tej zostanie wyselekcjonowane kolejne 4500 typów. Wykorzystane przez firmę Farnell opakowanie jest wielorazowe i może być otwierane i zamykane zapewniając bezpieczne warunki przechowywania, gdy za pierwszym razem nie wszystkie elementy zostaną zużyte.

Parametr MSL (Moisture Sensitivity Level) to wartość charakterystyczna dla danego elementu elektronicznego określająca czas, w jakim podzespół wrażliwy na wilgoć może być przechowywany w normalnej atmosferze, zanim pochłonie na tyle dużo pary wodnej, że stanie się to niebezpieczne do jego poprawnego działania.

Zbyt duża ilość wilgoci może spowodować rozdzielanie się tworzywa sztucznego od metalowej ramki oraz struktury układach scalonych i rozszczelnienie obudowy w podzespołach. Te negatywne efekty uwidoczniają się podczas lutowania rozpływowego lub na fali, a więc na etapie, gdzie nie można już podjąć żadnych środków zaradczych.

"Wprowadzenie specjalnych opakowań i procedur dbających o zachowanie jak najlepszego parametru MSL daje naszym klientom znaczące korzyści biznesowe", powiedział Justin Willoughby, szef serwisu w Farnell Europe. "Gwarancja, że dostarczone przez Farnell podzespoły były poprawnie przechowywane, pakowane i zabezpieczone i nie wymagają dodatkowych zabiegów wygrzewania przed montażem, jest znaczną oszczędnością czasu i pieniędzy."

MP

 

World News 24h

piątek, 20 kwietnia 2018 20:03

According to DRAMeXchange China has entered the semiconductor sector and focused on the development of domestic memory industry. The three key players are YMTC, Innotron and JHICC, which work on NAND Flash, mobile DRAM and specialty DRAM respectively. All three companies have arranged trial production to begin in 2H18 and mass production to begin in 1H19. This will make 2019 the first year of China’s domestic memory chip production. As for the schedules of the three suppliers, the construction of Innotron’s fab was completed in June 2017 and the equipment installation took place during 3Q17. For now, Innotron and JHICC have both postponed trial production to 3Q18 and tentatively arrange mass production to take place in 1H19, falling behind their announced schedule.

więcej na: en.ctimes.com.tw