Samsung Electronics rozpoczął produkcję w nowej fabryce układów pamięci NAND flash Line-16 w południowokoreańskim ośrodku przemysłowym w Nano City. Dostawca układów pamięci zainwestował w Line-16 około 10 mld dol. Budowa rozpoczęła się w maju 2010 r. i wraz z instalacją sprzętu w pomieszczeniach o wysokiej czystości została ukończona rok później.
Od czerwca w fabryce trwała produkcja testowa, a we wrześniu Samsung rozpoczął wytwarzanie wydajnych układów NAND flash w procesie klasy 20nm. Docelowa produkcja tych układów w Line-16 to 10 tysięcy 300mm płytek na miesiąc, wynika z oświadczenia firmy.
Podczas ceremonii otwarcia fabryki szef Samsunga Electronics, Kun-hee Lee, stwierdził również, że jego firma właśnie rozpoczęła masową produkcję pamięci DRAM DDR3 w procesie technologicznym klasy 20nm.
MT
» Samsung otworzył w Poznaniu nowe Centrum Badań i Rozwoju
» Gigantyczna ulga podatkowa przekonała Samsunga do dalszych inwestycji na terenie Słowacji
» Panasonic, Samsung, SanDisk, Sony i Toshiba stworzą nowy system zabezpieczeń DRM
» Silny wzrost rynku pamięci NAND flash w ostatnim kw. roku i dobre perspektywy
Foxconn said the U.S. and Chinese governments are engaged in a technology war, not a trade war, describing the spat as the biggest challenge the Taiwanese company is facing. President Donald Trump said Washington would hit $200 billion of Chinese imports with 10 percent tariffs if Beijing retaliates against his previous announcement to target $50 billion in imports. The United States has accused China of stealing U.S. intellectual property, a charge Beijing denies. “The biggest challenge we’re facing is the U.S.-China trade war. In terms of how we manage and adapt, this is something all our high-level managers are making various plans on,” Chairman Terry Gou said at the company’s annual general meeting.
więcej na: www.reuters.com
