Samsung Electronics rozpoczął produkcję w nowej fabryce układów pamięci NAND flash Line-16 w południowokoreańskim ośrodku przemysłowym w Nano City. Dostawca układów pamięci zainwestował w Line-16 około 10 mld dol. Budowa rozpoczęła się w maju 2010 r. i wraz z instalacją sprzętu w pomieszczeniach o wysokiej czystości została ukończona rok później.
Od czerwca w fabryce trwała produkcja testowa, a we wrześniu Samsung rozpoczął wytwarzanie wydajnych układów NAND flash w procesie klasy 20nm. Docelowa produkcja tych układów w Line-16 to 10 tysięcy 300mm płytek na miesiąc, wynika z oświadczenia firmy.
Podczas ceremonii otwarcia fabryki szef Samsunga Electronics, Kun-hee Lee, stwierdził również, że jego firma właśnie rozpoczęła masową produkcję pamięci DRAM DDR3 w procesie technologicznym klasy 20nm.
MT
Poszukuję produktu lub usługi
Chcę skontaktować się z firmą
Mam pytanie ogólne
